reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Pixabay Przemysł elektroniczny | 16 lipca 2019

Prawie milion złotych dla Łukasiewicz ITE na badania struktur epitaksjalnych

Łukasiewicz ITE otrzymał z NCN grant na badania struktur epitaksjalnych GaN-na-Si z kontaktami z krzemków metali.

Łukasiewicz Instytut Technologii Elektronowej podpisał umowę z Narodowym Centrum Nauki o realizację i finansowanie projektu badawczego „Mechanizm formowania bariery Schottky'ego oraz zjawiska zachodzące w wysokich temperaturach w strukturach epitaksjalnych GaN-na-Si z kontaktami z krzemków metali” o wartości 997 600 PLN. Kierownikiem projektu jest dr inż. Marek Wzorek. W ramach projektu przeprowadzone zostaną kompleksowe badania krzemków metali zastosowanych jako kontakty Schottky'ego do struktur epitaksjalnych GaN. Motywacją jest dostosowanie technologii przyrządów GaN/Si do dobrze rozwiniętej technologii krzemowej poprzez zastąpienie złota w połączeniach elektrycznych - miedzią. Wynika stąd potrzeba opracowania kontaktu Schottky’ego, który oprócz zapewnienia zadowalających charakterystyk elektrycznych, będzie jednocześnie blokować dyfuzję atomów miedzi w kierunku podłoża i zachowywać swoje właściwości w podwyższonych temperaturach. Cienkie warstwy krzemków metali wydają się być szczególnie obiecujące dla takich zastosowań – poinformował instytut w komunikacie.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
August 06 2019 20:55 V14.1.1-2