Rigaku rozbudowuje zakłady produkcyjne w Japonii
Japońska firma Rigaku, globalny partner w dziedzinie technologii analitycznych wykorzystujących promieniowanie rentgenowskie, zwiększyła moce produkcyjne w zakresie urządzeń do kontroli procesów półprzewodnikowych we własnym zakładzie w Takatsuki w prefekturze Osaka oraz w zakładach partnera w Nirasaki w prefekturze Yamanashi.
Dzięki obecnej rozbudowie mocy produkcyjnych firma Rigaku podwoiła powierzchnię hal montażowych i kontrolnych. Według informacji prasowej, niedawne ukończenie budowy zakładu produkcyjnego w prefekturze Yamanashi zwiększa moce produkcyjne kluczowych komponentów, takich jak generatory promieniowania rentgenowskiego i detektory.
Jednocześnie oczekuje się, że w czwartym kwartale roku finansowego 2025 r. całkowita zdolność produkcyjna urządzeń do kontroli procesów półprzewodnikowych będzie o 50% wyższa niż w tym samym okresie poprzedniego roku finansowego, w przeliczeniu na sztuki. Polityka firmy Rigaku zakłada dalszą rozbudowę wyposażenia w odpowiedzi na popyt, co pozwoli na zwiększenie mocy produkcyjnych o 50% w porównaniu z czwartym kwartałem roku finansowego 2024 do 2027 roku.
Dzięki tym działaniom firma Rigaku spodziewa się osiągnąć dynamiczny wzrost sprzedaży urządzeń do kontroli procesów półprzewodnikowych w czwartym kwartale roku finansowego 2025, realizując plan osiągnięcia 20% wzrostu w skali roku, jak podano w komunikacie prasowym.
„Wzmocnienie naszej struktury produkcyjnej stanowi ważny kamień milowy w globalnej strategii Rigaku. Nasza technologia odpowiada na potrzeby branży w zakresie wysokiej precyzji, oceny kształtu, grubości i składu w nanoskali, wymaganej w urządzeniach nowej generacji, takich jak tranzystory 3D-NAND i GAA. Niezawodność i powtarzalność naszych platform cieszą się dużym uznaniem na całym świecie. Dzięki zwiększeniu mocy produkcyjnych możemy znacznie poprawić terminowość dostaw, wzmacniając nasze kompleksowe systemy wsparcia od etapu rozwoju do produkcji” - powiedział Markus Kuhn, dyrektor generalny działu metrologii półprzewodników.
