reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© kornwa dreamstime.com Technologie | 24 maja 2017

Analiza polikrystalicznego krzemu w tranzystorach cienkowarstwowych

Nowa technologia Toshiby pozwala na skuteczną wizualizację i analizę przepływu elektronów w nanostrukturach polikrystalicznego krzemu. Możliwe jest dokładne określenie zjawisk i miejsc, które towarzyszą pogarszaniu się parametrów, dzięki czemu pojawia się możliwość ich eliminacji.

Toshiba opracowała nową technologię, pozwalającą na lepsze wizualizowanie zależności pomiędzy wydajnością związaną z przepływem elektronów w kanałach przewodzących (ścieżkach prądowych), a krystalicznymi strukturami w polikrystalicznym krzemie w nano skali, w tranzystorach cienkowarstwowych. Konwencjonalnymi metodami trudno jest wyjaśnić niektóre z tych zależności, a tym samym znaleźć powody pogarszania się właściwości elektrycznych. Dzięki nowej technologii Toshiby, będzie można w sposób bezpośredni zidentyfikować przyczyny powstawania takich sytuacji, co w konsekwencji pozwoli na ich wyeliminowanie, a dalej na poprawienie właściwości budowanego elementu, w tym wydajności. Technologię tą przedstawiono na sympozjum International Reliability Physics Symposium (IRPS 2017), odbywającego się w kwietniu w Monterrey w USA. Tranzystory cienkowarstwowe stosuje się coraz częściej. Są to elementy oparte o struktury trójwymiarowe, oparte na ułożonych w stos cienkich warstwach polikrystalicznego krzemu. Stopniowo wypierają one tradycyjne tranzystory, co wynika to z potrzeb, jakie generuje rynek, np. w branży IoT, gdzie wymaga się coraz wyższej efektywności, sprawniejszego działania przy jednoczesnej redukcji gabarytów. Jednakże krzem polikrystaliczny, z racji swojej niejednorodnej budowy, pogarsza właściwości elektryczne tranzystorów. Dzięki nowej technologii, analizującej krystaliczną strukturę określonych kanałów tranzystora, możliwe będzie skuteczniejsze lokalizowanie miejsc, w których zachodzą niekorzystne zjawiska, wpływające na pogarszanie się właściwości elektrycznych tych struktur. Technologia powstała na bazie doświadczeń inżynierów z Toshiby, którzy analizowali wiele próbek (z wyprodukowanych tranzystorów), z wykorzystaniem takich narzędzi jak mikroskopy elektronowe. Metoda ta pozwoliła po raz pierwszy spojrzeć na to, od czego zależy wydajność tranzystorów zbudowanych w oparciu o krzem polikrystaliczny. Widać dzięki temu silną zależność pomiędzy wydajnością, a wielkością ziaren krystalicznych, a także ich ułożeniu. © Toshiba
reklama
reklama
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
October 11 2019 15:09 V14.5.0-2