reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Samsung Przemysł elektroniczny | 06 sierpnia 2013

Samsung rozpoczął produkcję pamięci 3D Vertical NAND

Koreański koncern poinformował dzisiaj o uruchomieniu masowej produkcji układów V-NAND.


Postęp technologiczny sprawia, że zmniejszają się rozmiary pojedynczych elementów przy produkcji elementów półprzewodnikowych. Im bardziej zaawansowany proces technologiczny, tym większe problemy pojawiają się przy produkcji tradycyjnych pamięci opartych na technologii planarnej – interferencje między komórkami pogarszają jakość układów. Samsung informuje, że poradził sobie z tymi wyzwaniami modyfikując technologię Charge Trap Flash (CTF) tak, by stworzyć trójwymiarową strukturę komórek. Jak podaje producent, niezawodność i szybkość pamięci wyprodukowanych w nowej technologii znacząco się poprawiły: niezawodność 2 do 10 razy, a szybkość zapisu dwukrotnie w stosunku do konwencjonalnych pamięci NAND flash z pływającą bramką. Pamięci V-NAND przewidziane są do zastosowania w szerokiej gamie urządzeń elektroniki konsumenckiej oraz przykładowo w dyskach SSD. Według oszacowań IHS iSuppli globalny rynek pamięci NAND flash osiągnie około 30,8 mld USD przychodów w 2016 roku. Wartość rynku tych pamięci w 2013 roku ocenia się na 23,6 mld USD. --- Zdjęcie: © Samsung
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
August 21 2019 15:49 V14.1.4-2