Nanoprzewodowe podłoże poprawia parametry solarów z InGaN

W celu zwiększenia zakresu absorbowanego światła przez ogniwa fotowoltaiczne zaczęto budować je z wykorzystaniem materiału InGaN. Tworzenie polegało do dobraniu odpowiedniej proporcji indu, które wiązało się z podłożem z azotku galu, a następnie na nim wyrastało. Tak stworzone warstwy pochłaniały znacznie więcej światła (szerszy zakres długości fal), aniżeli panele krzemowe, zwiększając tym samym ich sprawność. Niestety właściwości mechaniczne pozostawiały wiele do życzenia. Podobnie ze wspomnianym zakresem. Naukowcy z Sandia National Laboratories znaleźli sposób, by sprostać temu problemowi. Udało im się wyhodować nanopręciki na powierzchni azotku galu. Zwiększyła się dzięki temu wytrzymałość mechaniczna na wyginanie. Pierwsze próby jednak wykazały mniejszą sprawność niż płaskie powierzchnie InGaN. Niemniej jednak jak się później okazało, naukowcy w trakcie wzrostu nanopręcików mogli zmieniać dawkę indu, odpowiedzialnego za zakres długości fali absorbowanego światła. Po kilku próbach dobrano idealną dawkę: In0,02Ga0,98N. Dodatkową zaletą jest to, że ilość indu uległa nieznacznemu zwiększeniu, za sprawą zastosowanej techniki (w poprzedniej wersji paneli zmniejszał wytrzymałość). Udało się tym samym uzyskać sprawność gładkiej powierzchni z InGaN, zwiększając zakres absorbowanego światła. Poprawiona wytrzymałość mechaniczna sprzyja wykorzystaniom konsumenckim. Co więcej, naukowcom udało się dopracować metodę produkcji, pozwalającą na produkcję przemysłową, bez konieczności stosowania skomplikowanych i zaawansowanych laboratoriów.