reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 18 czerwca 2012

Wzmacniacz RF wykonany w technologii GaN

Firma Freescale zaprezentowała pierwszy taki na świecie wzmacniacz mocy RF, który wykonany został w technologii GaN (czyli azotku galu), gwarantującej wysoką wydajność i sprawność przy niewielkim zużyciu energii.

Firma Freescale stworzyła nowy wzmacniacz RF, który zbudowany został przy wykorzystaniu technologii azotku galu (GaN), zdobywającej coraz większą popularność. Przeznaczony został do pracy w infrastrukturze sieci komórkowych, choć z pewnością znajdzie zastosowanie także w innych systemach, wliczając w to awionikę, radary, układy audio, itp. Omawiany wzmacniacz został oznaczony symbolem: AFG25HW355S. Ma on stanowić realną konkurencję dla innych wzmacniaczy RF dostępnych na rynku. Rozszerza tym samym bogatą rodzinę wzmacniaczy Freescale, wykonanych w różnej technologii: LDMOS, GaAs, czy też SiGe.
Prace nad technologią GaN były rozwijane od połowy 2000 roku. Oddział RF firmy Freescale długo pracował, by osiągnąć wysoką wydajność przy niskich kosztach produkcyjnych, zachowując przy tym wysoką niezawodność. Prace te wreszcie dobiegły końca, czego efektem jest opisywany wzmacniacz” - tak o AFG25HW355S mówi Ritu Favre, generalny menadżer oddziału RF Freescale.
Czym cechuje się więc sam AFG25HW355S? Przede wszystkim mocą 350 W (56 dBm) i asymetryczną praca. Dostosowany jest na zakres od 2,3 do 2,7 GHz. Sprawność wynosi 50%, a wzmocnienie maksymalne wynieść może 16 dB. Dzięki technologii GaN, oprócz wyżej wymienionych zalet, układ ma mieć mniejsze straty pasożytnicze i możliwością pracy z dużo większymi prądami, aniżeli układy wykonywane w innych technologiach. Całość udało się zamknąć w obudowie NI-780. Pierwsze próbki będzie można zamawiać za kilka dni, jak zapewnia producent, choć masowa sprzedaż rozpocznie się dopiero w drugim kwartale 2013 roku.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
August 21 2019 15:49 V14.1.4-2