reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© ermess-dreamstime.com Komponenty | 14 czerwca 2012

Dwukana艂owy tranzystor TrenchFET ze wzbogaconym kana艂em

Firma NXP wypuszcza nowe tranzystory TrenchFET, tym razem w formie zespo艂u dw贸ch element贸w w pojedynczej, bardzo ma艂ej obudowie. Przeznaczone zosta艂y na napi臋cie do 20 V.
Firma NXP zaprezentowa艂a sw贸j najnojwszy tranzystor MOSFET wykonany w technologii TrenchFET: PMDPB55XP. W pojedynczej obudowie DFN2026-6 (SOT1118) o wymiarach 2 na 2 mm umieszczono dwa takie tranzystory, z kana艂em wzbogaconym typu P. Produkt NXP dostosowany jest do pracy z napi臋ciem do 20 V i z pr膮dem o nat臋偶eniu do 4,5 A. Rezystancja Rds(ON) to tylko 55 m惟. Maksymalna temperatura pracy to 150 stopni Celsjusza. Napi臋cie bramki jednak powinno by膰 stosunkowo wysokie, bo wynosi膰 a偶 12 V. Ponadto, zesp贸艂 omawianych tranzystor贸w cechuje si臋 bardzo kr贸tkim czasem prze艂膮czania. Producent zadba艂 r贸wnie偶 o odpowiednie ch艂odzenie, st膮d te偶 na obudowie znajdziemy dodatkowe pady, dla lepszego odprowadzania ciep艂a. PMDPB55XP ma znale藕膰 zastosowanie przede wszystkim w niewielkich podr臋cznych zasilaczach, konwerterach DC/DC, 艂adowarkach akumulator贸w i w uk艂adach kontroli niewielkich silnik贸w BLDC, itp. 漏 NXP
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
February 22 2019 14:26 V12.2.6-2