reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© ermess-dreamstime.com Komponenty | 14 czerwca 2012

Dwukanałowy tranzystor TrenchFET ze wzbogaconym kanałem

Firma NXP wypuszcza nowe tranzystory TrenchFET, tym razem w formie zespołu dwóch elementów w pojedynczej, bardzo małej obudowie. Przeznaczone zostały na napięcie do 20 V.

Firma NXP zaprezentowała swój najnojwszy tranzystor MOSFET wykonany w technologii TrenchFET: PMDPB55XP. W pojedynczej obudowie DFN2026-6 (SOT1118) o wymiarach 2 na 2 mm umieszczono dwa takie tranzystory, z kanałem wzbogaconym typu P. Produkt NXP dostosowany jest do pracy z napięciem do 20 V i z prądem o natężeniu do 4,5 A. Rezystancja Rds(ON) to tylko 55 mΩ. Maksymalna temperatura pracy to 150 stopni Celsjusza. Napięcie bramki jednak powinno być stosunkowo wysokie, bo wynosić aż 12 V. Ponadto, zespół omawianych tranzystorów cechuje się bardzo krótkim czasem przełączania. Producent zadbał również o odpowiednie chłodzenie, stąd też na obudowie znajdziemy dodatkowe pady, dla lepszego odprowadzania ciepła. PMDPB55XP ma znaleźć zastosowanie przede wszystkim w niewielkich podręcznych zasilaczach, konwerterach DC/DC, ładowarkach akumulatorów i w układach kontroli niewielkich silników BLDC, itp. © NXP
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
April 25 2019 12:19 V13.2.1-2