© Bridgelux
Komponenty |
Wysokowydajne LEDy dzięki GaN-on-Silicon
Bridgelux wspólnie z Toshibą stworzyli nowe chipy LEDowe, emitujące moc 614 mW z 1,1 mm2. Możliwe to było dzięki najnowszej technologii GaN, tworzonej na bazie płytek krzemowych, 8-mio calowych. Współpraca ma być kontynuowana także na polu SSD.
Firmy Bridgelux i Toshiba Corporation połączyły siły, tworząc wysokiej klasy LEDy. Dzięki zoptymalizowaniu procesu epitaksy, udało się stworzyć plastry GaN na powierzchni bazowej z krzemu, stanowiące bazę do produkcji LEDów nowej klasy. Wstępne testy dały bardzo zadowalające rezultaty.
Nowo stworzone chipy LED z w/w materiału, zaowocowały emitowaną mocą 614 mW, z powierzchni 1,1 mm2, przy zasilaniu ich napięciem 3,1 V i prądem 350 mA. Badania te mają być kontynuowane na polu paneli LCD i systemów oświetleniowych.
Jednocześnie, przedstawiciele firmy Toshiba informują, że współpraca obu firm może się rozwinąć. Toshiba bowiem pragnie zainwestować w Bridgelux, aby stworzyć nową generację dysków SSD i technologię z nimi związaną. Wykorzystana w nich będzie wspomniana technologia 8-mio calowych płytek GaN-on-Silicon (azotek galu na krzemie).
