Półprzewodnikowe płytki GaN

Firma NGK Insulators stworzyła półprzewodnikowe płytki z azotku galu (GaN), które mają przyczynić się do tworzenia dwukrotnie bardziej wydajnych superjasnych diod LED, w porównaniu do konwencjonalnych materiałów. Płytkę stworzono z wykorzystaniem oryginalnej technologii wzrostu w fazie ciekłej. Metoda została dopracowana, dzięki temu wad materiałowych jest bardzo niewiele, a sama warstwa jest przezroczysta i bezbarwna na całej powierzchni.

Ponad dwukrotnie większa wydajność może być już osiągana w seryjnie produkowanych diodach.

Warstwę NGK GaN poddano także pierwszym testom. Z tak stworzonej płyty wykonano pierwsze diody LED. Efekt był oszałamiający. Jak donosi producent, stworzone diody LED osiągneły sprawność kwantową na poziomie 90 %, przy poborze prądu sięgającym 200 mA. Wydajność oszacowano na 200 lm/W. To średnio 2-razy więcej, niż oferują produkty seryjne dostępne na rynku. Jeśli więc ta technologia przełożyłaby się na masową produkcję i sprzedaż rynkową, byłaby to prawdziwa rewolucja. Jednakże wysoka wydajność to niejedyne zalety tego układu. Polepszyć miałaby się także wydajność, dzięki większej odporności na ogrzewanie. Pierwsze płytki mają trafić do producentów jeszcze w tym roku. Ich średnica wynieść ma 4 cale. Jednakże NGK już się nakręca i zapowiada płytki o średnicy 6 cali, celując w rynek pojazdów hybrydowych, wzmacniaczy, systemół zasilających, bo wszakże GaN można wykorzystać nie tylko do produkcji LEDów. Warto przypomnieć, że w porównaniu do krzemu, GaN może pracować z wyższym napięciem i większymi częstotliwościami. © NGK