reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© mchudo-dreamstime.com Komponenty | 21 lutego 2012

Bardzo małe MOSFETy o niskiej rezystancji przewodzenia

Firma Vishay zaprezentowała nowe tranzystory MOSFET umieszczane w obudowie, której wymiary to 1 na 1,5 mm. Cechują się niską rezystancją przewodzenia, pracą z napięciem do 30 V i wydajnością dochodzącą do 13 A, a chwilowo nawet do 25 A.

Firma Vishay zaprezentowała nową grupę MOSFETów, w której skład wchodzą następujące elementy: Si8497DB, Si8487DB, Si8409DB. Są to tranzystory należące do rodziny MICRO FOOT TrenchFET, MOSFETów trzeciej generacji. Si8497DB to najmocniejszy tranzystor z nich. Jego wymiary to 1 mm na 1,5mm, ale najważniejszą cechą jest duża wydajność prądowa. Zgodnie z dokumentacją producenta, przy pracy ciągłej wydajność ta może dojść do 13 A, przy pracy w temperaturze 25 stopni Celsjusza (wzrost temperatury zmniejsza maksymalną wydajność). W przypadku pracy impulsowej wartość ta wynieść może 20 A. Si8487DB to tranzystor, którego wydajność prądowa przy pracy ciągłej wynosi do 7 A, zaś przy pracy impulsowej do 25 A. Obudowa jest kwadratem o boku wynoszącym 1,6 mm. Od pozostałych MOSFETów, ten wyróżnia się o połowę mniejszą rezystancją w stanie przewodzenia. Zbudowane zostały w sposób ekologiczny, czyli nie wykorzystując do tego szkodliwych związków. Si8409DB jest nieco słabszy od poprzednika. W stanie ustalonym, przy pracy ciągłej, wydajność sięga 4,5 A, zaś przy przewodzeniu w czasie do 5 s, do 6,3 A. Chwilowo do 25 A. Od poprzednika jest jednak nieco mniejszy, a jego wymiary to 1,5 na 1,5 mm. Wszystkie tranzystory sterowane są napięciem 12 V i spełniają normy RoHS. Są to konstrukcje z kanałem typu P, a obsługiwane maksymalne napięcie to 30 V. Przeznaczeniem ich mają być układy zasilania niewielkiej mocy, w które to wliczają się takie podzespoły jak szybkie ładowarki akumulatorów dla tabletów czy telefonów.
Załaduj więcej newsów
December 12 2019 10:59 V14.8.5-2