Komponenty |
'Jaki tranzystor Pan sobie życzy w danej chwili'?
Naukowcom z Niemiec udało się stworzyć uniwersalny tranzystor polowy, który w trakcie pracy możemy tak skonfigurować za pośrednictwem dodatkowej bramki, by przewodziły raz dziury, a raz elektrony. Łatwo więc z tranzystora typu 'n', zrobimy tranzystor typu 'p'.
Tranzystor polowy stworzony przez grupę naukowców kierowanych przez Waltera M. Webera z Namlab gGmbH w Dresten (Niemcy) ochrzczono mianem uniwersalnego. Koncept budowy tego układu opublikowano na łamach magazynu Nano Letters.
Tranzystor ten oparto o technologię CMOS, dając mu możliwość wyboru, czy ma być tranzystorem polowym z kanałem n, czy p. Możliwe to było poprzez zastosowanie dodatkowej bramki, za pomocą której konfigurujemy, czy prąd mają przewodzić elektrony, czy dziury.
Budowa jest możliwa przy wykorzystaniu nanotechnologii, tworząc strukturę metal-półprzewodnik-metal. Całość okryto powłoką wykonaną z dwutlenku krzemu. Dwie bramki sterują przepływem elektronów bądź dziur w różne strony. Zmienia się wtedy przewodność struktury z nanowłókien. Konstrukcję taką sprowadzono do prostego modelu, który opisuje to tak, że do klasycznego tranzystora dodano strukturę diody Schottkiego.
Czy taki tranzystor zrewolucjonizuje elektronikę i układy scalone? Czy możliwe jest stworzenie całkiem nowych bramek logicznych? Naukowcy są pewni, że na pewno taki tranzystor przyczyni się do znacznej redukcji ilości tranzystorów w układach scalonych. Wyniki badań charakterystyk dynamicznych również wyglądają obiecująco, jak zapewniają twórcy.
