reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 08 grudnia 2011

Pami臋膰 SRAM pracuj膮ca na napi臋ciu 0,4 V

Firma Fujitsu Siemens przy wsp贸艂pracy z SuVolta Inc. stworzy艂a nowe bloki pami臋ciowe SRAM, kt贸re pracuj膮 przy napi臋ciu oko艂o 0,4 V. Osi膮gni臋to tym samym bardzo niski poziom zu偶ycia energii.
Wsp贸艂praca dw贸ch firm: Fujitsu Siemens Limited oraz SuVolta Inc. zaowocowa艂a stworzeniem niezwyk艂ych ko艣ci pami臋ciowych SRAM. Nowe uk艂ady pami臋ciowe mog膮 pracowa膰 przy napi臋ciu 0,425 V. Osi膮gni臋to dzi臋ki temu bardzo niskie zu偶ycie energii. Tak niskie napi臋cie pracy i niskie zu偶ycie energii mo偶liwe by艂o za spraw膮 technologii SuVolta PowerShrink low-power CMOS platform, kt贸ra zosta艂a zaimplementowana do procesu energetycznego ma艂ej mocy firmy Fujitsu Semiconductors. Powsta艂 w ten spos贸b produkt bardzo ekologiczny, jak m贸wi sam producent. Pierwsze ko艣ci pami臋ciowe SRAM, powsta艂e w wyniku technologii tranzystor贸w SuVolta Deeply Depleted Channel (DDC) i platformy PowerShrink oraz proces贸w Fujitsu, posiada艂y pojemno艣膰 576 kB i pracowa艂y przy napi臋ciu 0,4 V. Uda艂o si臋 w ten spos贸b przezwyci臋偶y膰 barier臋 1,0 V, kt贸ra powsta艂a, nawet przy wykorzystaniu lepszych proces贸w technologicznych (do 130 nm udawa艂o si臋 zmniejsza膰 napi臋cie, lecz od tej liczby, a偶 do 28 nm napi臋cie musia艂o by膰 niezmienne i wynosi艂o 1,0 V, nie pomaga艂y nawet takie technologie jak FinFET czy Tri-Gate). Dzi臋ki technologii DDC uda艂o si臋 znacz膮co zredukowa膰, niemal偶e o po艂ow臋, wahania napi臋ciowe powsta艂e w ko艣ciach SRAM (tzw RDF), kt贸re uniemo偶liwia艂y zej艣cie poni偶ej granicy 1,0 V. Sama technologia DDC wymaga艂a udoskonalenia, gdy偶 tak stworzone tranzystory wydawa艂y si臋 by膰 niestabilne. Lecz problem ten uda艂o si臋 przezwyci臋偶y膰 dzi臋ki wsp贸艂pracy obu firm. SuVolta chce tak偶e wykorzysta膰 do艣wiadczenie marketingowe Fujitsu. Ma by膰 zastosowana agresywna kampania sprzeda偶owa, kt贸ra umo偶liwi silne wej艣cie nowych pami臋ci na rynek masowy.
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
February 15 2019 09:57 V12.1.1-1