Pamięć SRAM pracująca na napięciu 0,4 V

Współpraca dwóch firm: Fujitsu Siemens Limited oraz SuVolta Inc. zaowocowała stworzeniem niezwykłych kości pamięciowych SRAM. Nowe układy pamięciowe mogą pracować przy napięciu 0,425 V. Osiągnięto dzięki temu bardzo niskie zużycie energii. Tak niskie napięcie pracy i niskie zużycie energii możliwe było za sprawą technologii SuVolta PowerShrink low-power CMOS platform, która została zaimplementowana do procesu energetycznego małej mocy firmy Fujitsu Semiconductors. Powstał w ten sposób produkt bardzo ekologiczny, jak mówi sam producent. Pierwsze kości pamięciowe SRAM, powstałe w wyniku technologii tranzystorów SuVolta Deeply Depleted Channel (DDC) i platformy PowerShrink oraz procesów Fujitsu, posiadały pojemność 576 kB i pracowały przy napięciu 0,4 V. Udało się w ten sposób przezwyciężyć barierę 1,0 V, która powstała, nawet przy wykorzystaniu lepszych procesów technologicznych (do 130 nm udawało się zmniejszać napięcie, lecz od tej liczby, aż do 28 nm napięcie musiało być niezmienne i wynosiło 1,0 V, nie pomagały nawet takie technologie jak FinFET czy Tri-Gate). Dzięki technologii DDC udało się znacząco zredukować, niemalże o połowę, wahania napięciowe powstałe w kościach SRAM (tzw RDF), które uniemożliwiały zejście poniżej granicy 1,0 V. Sama technologia DDC wymagała udoskonalenia, gdyż tak stworzone tranzystory wydawały się być niestabilne. Lecz problem ten udało się przezwyciężyć dzięki współpracy obu firm. SuVolta chce także wykorzystać doświadczenie marketingowe Fujitsu. Ma być zastosowana agresywna kampania sprzedażowa, która umożliwi silne wejście nowych pamięci na rynek masowy.