reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Micron Komponenty | 10 października 2011

Pamięć RAM nowej generacji - 3DRAM

Samsung wraz z firmą Micron powołują nowe konsorcjum, którego celem będzie opracowanie nowych pamięci DRAM. Chodzi o nowe, trójwymiarowe kości pamięciowe. W projekcie uczestniczyć będą także inne firmy.

Hybrid Memory Cube – to nazwa nowego konsorcjum powołanego przez Samsunga i Microchip, w którego skład wejdą także: Altera, Open Silicon i Xilinx. Grupa ma pracować nad stworzeniem nowej generacji kości pamięciowych typu DRAM. Powołanie tego konsorcjum to efekt obserwacji, z których wynika, że prędkości przesyłania danych z pamięci do procesorów są niedostateczne, zbyt wolne. Dlatego też, rozwój tych drugich (procesorów) jest hamowany. Członkowie chcą, by nowe kości były znacznie szybsze od tych, które są obecnie na rynku i były bardziej zintegrowane z procesorami różnego typu (CPU, GPU, ASIC). Same układy pamięciowe, mają składać się z kilku warstw DRAM, z układami logicznymi umieszczonymi na spodzie. Całość będzie połączona ze sobą z wykorzystaniem przelotek krzemowych („Through Silicon Via”). Nowa technologia ma sprawić, że wydajność nowych pamięci trójwymiarowych zwiększy się 15-krotnie, a przy tym zużycie energii zmniejszy się o 70%. Zmniejszy się także zajmowane miejsce przez pojedynczą komórkę, a w konsekwencji całych kości pamięciowych. Pamięci nowej generacji ochrzczono nazwą „3DRAM”.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
November 12 2019 07:31 V14.7.10-1