reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© AW Komponenty | 30 września 2011

Nieulotna pamięć realizowana przy użyciu CMOS

Japońskiej grupie naukowców udało się stworzyć metodę, która dzięki niewielkiej zmianie, potrafi stworzyć nieulotną pamięć przy wykorzystaniu standardowych i powszechnie znanych technologii CMOS.

Wydawać by się mogło, że z CMOS nie da się wycisnąć już nic więcej. Jednakże grupie Japońskich naukowców z Uniwersytetu w Tokio, udało się stworzyć nieulotną pamięć CMOS i to wielokrotnego zapisu. Wykorzystano do tego izolacyjną cienką warstwę dwutlenku krzemu. Jej zadaniem jest tzw. „łapanie elektronów”. Technika ta znana jednak była od pewnego czasu. Problemem jednak stanowiło wykorzystanie jej do wielokrotnego zapisu. Dwutlenek krzemu potrafi bowiem łatwo złapać elektrony, lecz ich usunięcie było jak dotąd niemożliwe. Powodowało to, że możliwe było jedynie tworzenie pamięci typu ROM, czyli jednokrotnego zapisu. Grupa naukowców opracowała technikę zwaną „Drain-side Assisted Erase Scheme”, czyli system czyszczenia tej warstwy elektronów, od strony drenu. Technologia ta pozwala na przepisanie danych nawet 100-krotnie. Tak jak i większość odkryć na świecie, to również było dokonane przypadkowo. Zrobił to jeden ze studentów, podczas eksperymentów. W celu rozpoczęcia procesu usuwania, należy podłączyć dren do napięcia dodatniego i przepuścić przez ten dren niewielki prąd. Dane mogą być przechowywane przez 10 lat, po każdym przepisaniu. Zaletą może być duża pojemność i niska cena takich modułów pamięciowych. Naukowcy widzą te pamięci, jako elementy pamięciowe, z których mikrokontrolery i procesory pobierałyby łatki i usprawnienia (względnie nowy program), ściągany i instalowany przez użytkowników.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
October 11 2019 15:09 V14.5.0-2