Komponenty |
MOSFET o zmniejszonej rezystancji w stanie załączenia
Rohm ma w swojej ofercie nowe tranzystory mocy typu MOSFET, które cechują się zredukowaną rezystancją w trybie załączenia, co ma przyczynić się do znacznej redukcji strat.
R5050DNZ0C9 jest nowym MOSFETem w ofercie firmy Rohm. Cechuje się zredukowaną rezystancją R_On o 47% w stosunku do innych tranzystorów podobnej mocy. Przy napięciu 500V i prądzie 50A, rezystancja R_ON wynosi zaledwie 34 mΩ.
Całość umieszczono w obudowie typu TO247PLUS, która cechuje się wysoką wydajnością przy odprowadzaniu ciepła. Do redukcji tej rezystancji wykorzystano głęboko trawiony krzem, który utworzył idealnie pionową warstwę półprzewodnika typu p.
Producent zapewnia, że nowy tranzystor nada się idealnie do przetwornic DC-DC, w tym też do systemów PV, a dzięki zastosowaniu wydajnych i szybkich diod zwrotnych (Schottkiego), tranzystor nadaje się także do konwerterów DC-AC.
Dostępny ma być w grudniu tego roku za cenę około 13 USB (1000 jenów) przy zamówieniach hurtowych. Oficjalna prezentacja odbędzie się na japońskich targach CEATEC Japan 2011.
