Pamięć 32 Gb w technologii 20 nm

Samsung Electronics Co, Ltd. ogłosił rozpoczęcie produkcji kart pamięci typu micro Secure Digital (microSD) o pojemności 32Gb z zaawansowaną szybkością transferu danych, które spełniają wymogi m.in. smartfonów czwartej generacji (4G). Proces technologiczny 20*-nanometrów zapewnia 10 klasę szybkości przesyłu danych. Nowa karta microSD 32GB ma prędkość zapisu 12 megabajtów na sekundę (MB / s) i odczytu 24MB / s, zapewniając użytkownikom ponad dwukrotnie większą prędkość niż w przypadku zapisu karty klasy 4 32GB. Nowa 3-bitowa karta pamięci posiada pamięć NAND flash 32Gb NAND wraz z 3-bitowym kontrolerem pamięci NAND dla zapewnienia wysokiej wydajności. Karta microSD 32Gb wykonana w technologii 20nm* wyróżnia się większą o 30% wydajnością w porównaniu z dotychczas produkowaną w technologii 30nm kartą o tej samej pojemności. W dalszej kolejności Samsung Semiconductor planuje wypuścić na rynek kartę 64Gb wykonaną w tej samej technologii co ma nastąpić na początku 2012 r.