reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
Komponenty | 01 lipca 2011

Pami臋膰 32 Gb w technologii 20 nm

Samsung Electronics Co, Ltd. og艂osi艂 rozpocz臋cie produkcji kart pami臋ci typu microSD o pojemno艣ci 32Gb w technologii 20 nm.
Samsung Electronics Co, Ltd. og艂osi艂 rozpocz臋cie produkcji kart pami臋ci typu micro Secure Digital (microSD) o pojemno艣ci 32Gb z zaawansowan膮 szybko艣ci膮 transferu danych, kt贸re spe艂niaj膮 wymogi m.in. smartfon贸w czwartej generacji (4G). Proces technologiczny 20*-nanometr贸w zapewnia 10 klas臋 szybko艣ci przesy艂u danych. Nowa karta microSD 32GB ma pr臋dko艣膰 zapisu 12 megabajt贸w na sekund臋 (MB / s) i odczytu 24MB / s, zapewniaj膮c u偶ytkownikom ponad dwukrotnie wi臋ksz膮 pr臋dko艣膰 ni偶 w przypadku zapisu karty klasy 4 32GB. Nowa 3-bitowa karta pami臋ci posiada pami臋膰 NAND flash 32Gb NAND wraz z 3-bitowym kontrolerem pami臋ci NAND dla zapewnienia wysokiej wydajno艣ci. Karta microSD 32Gb wykonana w technologii 20nm* wyr贸偶nia si臋 wi臋ksz膮 o 30% wydajno艣ci膮 w por贸wnaniu z dotychczas produkowan膮 w technologii 30nm kart膮 o tej samej pojemno艣ci. W dalszej kolejno艣ci Samsung Semiconductor planuje wypu艣ci膰 na rynek kart臋 64Gb wykonan膮 w tej samej technologii co ma nast膮pi膰 na pocz膮tku 2012 r.
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
February 15 2019 09:57 V12.1.1-1