reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Samsung Komponenty | 31 maja 2011

Rusza masowa produkcja pamięci 32Gb w technologii 30nm

Samsung Electronics Co., Ltd. planuje w najbliższym czasie rozpocząć masową produkcję 32 gigabajtowych modułów pamięci, w technologii 30 nm z chipem 4 gigabity (Gb) DDR3 DRAM.

‘Wprowadzając na rynek nowe moduły, Samsung prezentuje najwyższą konkurencyjność swoich produktów na rynku DRAM, przeznaczonych dla PC, serwerów i urządzeń przenośnych’ mówi Wanhoon Hong, v-ce prezes Samsung Electronics, odpowiedzialny za sprzedaż i marketing działu pamięci. ‘Planujemy ponadto wprowadzenie na rynek bardziej energooszczędnych modułów 4Gb DDR3 DRAM w technologii 20 nm w drugiej połowie obecnego roku, wspierając wzrost szybko rozwijającego się rynku ‘zielonych’ pamięci dla IT.’ Samsung rozpoczął produkcję kostek 4Gb DDR3 DRAM w technologii 30nm w lutym b.r., zaledwie rok po rozpoczęciu produkcji analogicznych komponentów w technologii 40 nm. Dwa miesiące później, w kwietniu, rozpoczęła się produkcja modułów 16GB dla kilku wybranych producentów serwerów. Samsung uzupełnił ponadto w tym tygodniu swoje portfolio produktów w technologii 30 nm, dodając moduły 32GB RDIMM (registered dual inline memory module) oraz 8GB SO-DIMM (small outline dual in-line memory module). Celem Samsung jest zdobycie w roku 2012 ponad 10% na rynku chipów DRAM o pojemności 4Gb lub większej.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
May 21 2019 21:58 V13.3.9-1