reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Samsung Komponenty | 31 maja 2011

Rusza masowa produkcja pami臋ci 32Gb w technologii 30nm

Samsung Electronics Co., Ltd. planuje w najbli偶szym czasie rozpocz膮膰 masow膮 produkcj臋 32 gigabajtowych modu艂贸w pami臋ci, w technologii 30 nm z chipem 4 gigabity (Gb) DDR3 DRAM.
鈥榃prowadzaj膮c na rynek nowe modu艂y, Samsung prezentuje najwy偶sz膮 konkurencyjno艣膰 swoich produkt贸w na rynku DRAM, przeznaczonych dla PC, serwer贸w i urz膮dze艅 przeno艣nych鈥 m贸wi Wanhoon Hong, v-ce prezes Samsung Electronics, odpowiedzialny za sprzeda偶 i marketing dzia艂u pami臋ci. 鈥楶lanujemy ponadto wprowadzenie na rynek bardziej energooszcz臋dnych modu艂贸w 4Gb DDR3 DRAM w technologii 20 nm w drugiej po艂owie obecnego roku, wspieraj膮c wzrost szybko rozwijaj膮cego si臋 rynku 鈥榸ielonych鈥 pami臋ci dla IT.鈥 Samsung rozpocz膮艂 produkcj臋 kostek 4Gb DDR3 DRAM w technologii 30nm w lutym b.r., zaledwie rok po rozpocz臋ciu produkcji analogicznych komponent贸w w technologii 40 nm. Dwa miesi膮ce p贸藕niej, w kwietniu, rozpocz臋艂a si臋 produkcja modu艂贸w 16GB dla kilku wybranych producent贸w serwer贸w. Samsung uzupe艂ni艂 ponadto w tym tygodniu swoje portfolio produkt贸w w technologii 30 nm, dodaj膮c modu艂y 32GB RDIMM (registered dual inline memory module) oraz 8GB SO-DIMM (small outline dual in-line memory module). Celem Samsung jest zdobycie w roku 2012 ponad 10% na rynku chip贸w DRAM o pojemno艣ci 4Gb lub wi臋kszej.
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
February 22 2019 14:26 V12.2.6-2