reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
Komponenty | 26 maja 2011

MOSFET o bardzo niskiej rezystancji RDS

Nowe MOSFETy, przeznaczone na napięcia od 25 do 30V, umieszczone w obudowie LFPAK, cechować się mają najniższą w branży przemysłowej rezystancją RDS.
Nowe MOSFETy od NXP, należeć mają do rodziny NextPower. Rezystancja Dren-Źródło (D-S), ujawniająca się w stanie nasycenia, jest jedną z przyczyn nadmiernego grzania się układów i wynikłych z tego strat.

Tranzystory umieszczone zostały w obudowie LFPAK, dzięki czemu są kompaktowe. Ich wymiary to 5 mm na 6 mm.

Nowością w tych tranzystorach jest zastosowanie tzw. 'technologii super-złączy' („superjunction technology”). Ma to na celu nie tylko poprawę RDS, ale także takich parametrów jak Qoss, Qg(tot), Qgd, by zapewnić jak najmniejsze straty na drodze Dren-Źródło, zarówno podczas pracy ciągłej, jak i przełączania.

Mają znaleźć zastosowanie w zasilaczach, konwerterach DC-DC, regulatorach i innych podobnych urządzeniach.

Komentarze

Zauważ proszę, że komentarze krytyczne są jak najbardziej pożądane, zachęcamy do ich zamieszczania i dalszej dyskusji. Jednak komentarze obraźliwe, rasistowskie czy homofobiczne nie są przez nas akceptowane. Tego typu komentarze będą przez nas usuwane.
Załaduj więcej newsów
June 15 2018 00:12 V9.6.1-1