reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
Komponenty | 26 maja 2011

MOSFET o bardzo niskiej rezystancji RDS

Nowe MOSFETy, przeznaczone na napi─Öcia od 25 do 30V, umieszczone w obudowie LFPAK, cechowa─ç si─Ö maj─ů najni┼╝sz─ů w bran┼╝y przemys┼éowej rezystancj─ů RDS.
Nowe MOSFETy od NXP, nale┼╝e─ç maj─ů do rodziny NextPower. Rezystancja Dren-┼╣r├│d┼éo (D-S), ujawniaj─ůca si─Ö w stanie nasycenia, jest jedn─ů z przyczyn nadmiernego grzania si─Ö uk┼éad├│w i wynik┼éych z tego strat. Tranzystory umieszczone zosta┼éy w obudowie LFPAK, dzi─Öki czemu s─ů kompaktowe. Ich wymiary to 5 mm na 6 mm. Nowo┼Ťci─ů w tych tranzystorach jest zastosowanie tzw. 'technologii super-z┼é─ůczy' (ÔÇ×superjunction technologyÔÇŁ). Ma to na celu nie tylko popraw─Ö RDS, ale tak┼╝e takich parametr├│w jak Qoss, Qg(tot), Qgd, by zapewni─ç jak najmniejsze straty na drodze Dren-┼╣r├│d┼éo, zar├│wno podczas pracy ci─ůg┼éej, jak i prze┼é─ůczania. Maj─ů znale┼║─ç zastosowanie w zasilaczach, konwerterach DC-DC, regulatorach i innych podobnych urz─ůdzeniach.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
February 21 2019 14:28 V12.2.5-2