Komponenty |
MOSFET o bardzo niskiej rezystancji RDS
Nowe MOSFETy, przeznaczone na napięcia od 25 do 30V, umieszczone w obudowie LFPAK, cechować się mają najniższą w branży przemysłowej rezystancją RDS.
Nowe MOSFETy od NXP, należeć mają do rodziny NextPower. Rezystancja Dren-Źródło (D-S), ujawniająca się w stanie nasycenia, jest jedną z przyczyn nadmiernego grzania się układów i wynikłych z tego strat.
Tranzystory umieszczone zostały w obudowie LFPAK, dzięki czemu są kompaktowe. Ich wymiary to 5 mm na 6 mm.
Nowością w tych tranzystorach jest zastosowanie tzw. 'technologii super-złączy' („superjunction technology”). Ma to na celu nie tylko poprawę RDS, ale także takich parametrów jak Qoss, Qg(tot), Qgd, by zapewnić jak najmniejsze straty na drodze Dren-Źródło, zarówno podczas pracy ciągłej, jak i przełączania.
Mają znaleźć zastosowanie w zasilaczach, konwerterach DC-DC, regulatorach i innych podobnych urządzeniach.