reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Infineon Komponenty | 25 maja 2011

Wydajne tranzystory IGBT o niskich stratach przełączania

Nowe tranzystory przeznaczone są do pracy przy napięciach rzędu 4.5 kV prądu stałego. Producent zapewnia, że dysponują one wysoką sprawnością i niskimi stratami podczas przełączania.

Dzięki zmniejszonym stratom podczas przełączania, tranzystory IGBT od Infineon'a, będą się mniej grzały, a co za tym idzie zmniejszy się powierzchnia podłączonych do nich radiatorów. Zaimplementowano w nich technologię TrenchSTOP i FieldSTOP. Mają się sprawdzić w urządzeniach pracujących w trudnych warunkach z wysokimi napięciami i prądami, jak na przykład systemy trakcyjne. Cechują się wysoką żywotnością, odpornością na zakłócenia elektromagnetyczne (EMI), a zaimplementowana ochrona przeciwzwarciowa, zapewni im możliwość pracy po usunięciu usterki (zwarcia), bez konieczności zakupu nowych elementów. Tranzystory IGBT3/EC3 zabudowane są w moduły, zapewniające im możliwość przewodzenia wyższych prądów. Mogą pracować w 150 stopniach Celsjusza. Izolacja jest w stanie wytrzymać przepięcia do 10.2 kV.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
May 21 2019 21:58 V13.3.9-2