reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Infineon Komponenty | 25 maja 2011

Wydajne tranzystory IGBT o niskich stratach przełączania

Nowe tranzystory przeznaczone są do pracy przy napięciach rzędu 4.5 kV prądu stałego. Producent zapewnia, że dysponują one wysoką sprawnością i niskimi stratami podczas przełączania.
Dzięki zmniejszonym stratom podczas przełączania, tranzystory IGBT od Infineon'a, będą się mniej grzały, a co za tym idzie zmniejszy się powierzchnia podłączonych do nich radiatorów.

Zaimplementowano w nich technologię TrenchSTOP i FieldSTOP. Mają się sprawdzić w urządzeniach pracujących w trudnych warunkach z wysokimi napięciami i prądami, jak na przykład systemy trakcyjne.

Cechują się wysoką żywotnością, odpornością na zakłócenia elektromagnetyczne (EMI), a zaimplementowana ochrona przeciwzwarciowa, zapewni im możliwość pracy po usunięciu usterki (zwarcia), bez konieczności zakupu nowych elementów.

Tranzystory IGBT3/EC3 zabudowane są w moduły, zapewniające im możliwość przewodzenia wyższych prądów. Mogą pracować w 150 stopniach Celsjusza. Izolacja jest w stanie wytrzymać przepięcia do 10.2 kV.

Komentarze

Zauważ proszę, że komentarze krytyczne są jak najbardziej pożądane, zachęcamy do ich zamieszczania i dalszej dyskusji. Jednak komentarze obraźliwe, rasistowskie czy homofobiczne nie są przez nas akceptowane. Tego typu komentarze będą przez nas usuwane.
Załaduj więcej newsów
June 15 2018 00:12 V9.6.1-1