Poznajmy mikrokontroler z pamięcią FRAM – artykułu ciąg dalszy

Mikrokontrolery serii MSP430FR57xx FRAM, umożliwiają zredukowanie najniższego w branży poboru mocy w trybie aktywności aż o 50% procent podczas wykonywania kodu z pamięci FRAM, a także zapewnia pobór mocy na poziomie 100 µA/MHz w trybie pracy oraz 3 µA w trybie zegara czasu rzeczywistego (RTC). Wytrzymałość szacowana na ponad 100 bilionów cyklów zapisu umożliwia ciągłą rejestrację danych. Pozwala to wyeliminować konieczność korzystania z drogiej, zewnętrznej pamięci EEPROM i pamięci SRAM z podtrzymaniem bateryjnym. Dzięki zunifikowanej pamięci projektanci mogą wprowadzać zmiany w partycjonowaniu pamięci pomiędzy programami, danymi i pamięcią podręczną w oprogramowaniu, uzyskując oszczędności w zakresie zarządzania zasobami i rozbudowy systemu. Niezawodność operacji zapisu i przechowywania danych we wszystkich trybach pracy gwarantuje bezpieczeństwo kodów, przyczyniając się do uproszczenia procesów tworzenia oprogramowania, redukcji kosztów związanych z przeprowadzaniem testów pamięci oraz do zwiększenia niezawodności działania produktów końcowych. Zapewnia niezawodne aktualizowanie oprogramowania w sposób zdalny, również bezprzewodowo, udostępniając producentom urządzeń tańsze i mniej skomplikowane ścieżki aktualizacji kodu. Rozmiary pamięci FRAM do 16 kB, a także analogowe i cyfrowe układy peryferyjne zawierające m.in., 10-bitowy przetwornik ADC, 32-bitowy układ mnożenia, do pięciu 16-bitowych timerów oraz kilka rozszerzonych portów SPI/I2C/UART. Zgodność kodu z całą platformą MPS oraz niedrogie i łatwe w obsłudze narzędzia, wyczerpująca dokumentacja, podręczniki użytkownika, a także przykładowe programy umożliwiają natychmiastowe rozpoczęcie pracy z mikroprocesorem. Narzędzia dla układów komunikacji radiowej firmy TI pozwalają uprościć i przyspieszyć proces projektowania systemów. Umożliwiają wykorzystanie inteligentnych, bezbateryjnych rozwiązań łączności bezprzewodowej . W mikrokontrolerach FR57XX zastosowano zaawansowany proces oparty na wbudowanej pamięci FRAM w technologii 130 nm.