reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Vishay Komponenty | 11 maja 2011

Tranzystory MOSFET sterowane z napi臋cia 3.3V!

Prezentujemy uk艂ad, kt贸ry jest po艂膮czeniem tranzystor贸w MOSFET ze sterownikiem, pracuj膮cym na cz臋stotliwo艣ciach dochodz膮cych do 1MHz. Wszystko to mo偶e by膰 sterowane niskim napi臋ciem.
Firma Vishay zaprezentowa艂a sw贸j nowy produkt, w serii DrMOS, zaprojektowany pod k膮tem wykorzystania go jako prze艂膮cznik PWM. Wewn膮trz uk艂adu mo偶emy znale藕膰 dwa tranzystory MOSFET o kanale N (hi-side i lo-side), a tak偶e zintegrowany z nimi sterownik, wraz z diod膮 bootstrapu. Sprawno艣膰 nowego uk艂adu ma przekracza膰 93%. Wszystko to zamkni臋to w obudowie o usprawnionej przewodno艣ci cieplnej PowerPak MLP 6x6 mm o 40 wyprowadzeniach. Nowy DrMOS przeznaczony jest do r贸偶nego rodzaju regulator贸w napi臋cia, takich jak zasilacze komputerowe, w tym serwery, karty graficzne, a tak偶e konsole do gier. Uk艂ad oznaczono kodem SiC779CD. Przyjmuje on sygna艂 PWM z mikrokontroler贸w, a nast臋pnie przekszta艂ca go w odpowiednie sygna艂y do sterowania tranzystorami MOSFET, by przekszta艂ci膰 sygna艂 PWM ma艂ej mocy, na napi臋cie przemienne o du偶o wi臋kszej mocy, mog膮ce wysterowa膰 pot臋偶niejsze uk艂ady, a nawet ko艅cowe urz膮dzenia. Regulator pracuje przy napi臋ciu wej艣ciowym od 3V do 16V, dostarczaj膮c przy tym na wyj艣ciu pr膮d o maksymalnym nat臋偶eniu 40A. Wewn膮trz mo偶emy znale藕膰 zaawansowane uk艂ady kontrolno-pomiarowe, by usprawni膰 prac臋 uk艂adu, a tak偶e zabezpieczy膰 go przed uszkodzeniami. Zgodno艣膰 z dyrektyw膮 RoHS jest ju偶 standardem.
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
February 19 2019 15:52 V12.2.2-1