reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Samsung Komponenty | 24 marca 2011

Samsung wypuścił na rynek DRAM w technologii 30nm

W tym miesiącu rynkową premierę miały nowe pamięci Samsung Electronics 4Gb typu LPDDR2 DRAM, wyprodukowane w technologii 30 nm.

‘Masowa produkcja pamięci 4Gb LPDDR2 stanowi istotny postęp na rynku urządzeń mobilnych, pozwalając naszym klientom OEM na szybkie wprowadzanie na rynek zróżnicowanych urządzeń mobilnych o parametrach najwyższej klasy’ komentuje rozpoczęcie seryjnej produkcji Wanhoon Hong, v-ce prezes Samsung Electronics, odpowiedzialny za dział pamięci. Samsung opracował pamięć 4Gb LPDDR2 DRAM w grudniu ubiegłego roku, a seryjną produkcję rozpoczął w marcu. W porównaniu do poprzednika, pamięci w technologii 40nm 2Gb LPDDR2 DRAM, nowa pamięć 30nm 4Gb LPDDR2 DRAM posiada o 60% lepsze paramenty pracy. Nowa kostka łączy lepsze właściwości z mniejszą konsumpcją energii. Transmisja danych odbywa się z prędkością 1,066Mbps, czyli ponad dwukrotnie większą niż używane obecnie pamięci MDDR, pracujące w zakresie od 333 do 400Mbps. Dodatkowo, nowy komponent umożliwia projektowanie cieńszych urządzeń. Uprzednio, chcąc zaprojektować pamięć 1GB (8Gb) przy zastosowaniu kostki LPDDR2 o pojemności 2Gb, należało ‘złożyć’ cztery kostki. Mając do dyspozycji nowy chip 4Gb LPDDR2, wystarczą jedynie dwie i to cieńsze: łączna wysokość spada z 1.0mm do 0.8mm. Co więcej, zużyją one również 25% mniej energii.
Załaduj więcej newsów
September 20 2019 17:48 V14.4.1-1