Pierwsze pamięci DDR4 DRAM już dostępne

Nowe moduły pamięci DDR4 DRAM osiągają prędkość transmisji danych dochodzącą do ponad 2Gbps (giga-bits per second). W przeciwieństwie do pamięci DDR3, które były zasilane napięciami 1.35V-1.5V, nowe pamięci zasilane będą napięciem 1.2V. To wszystko, dzięki zastosowaniu technologii 30nm. Powyższa cecha sprawia, że nowe pamięci pozwolą oszczędzić, aż do 40% energii w notebookach, w porównaniu do starszego typu pamięci DDR3. Moduły DDR4 wykorzystują nową technologię zaadaptowaną specjalnie dla wysoko wydajnych pamięci, do zastosowań graficznych: POD (pseudo open drain), pozwalając tym samym na zmniejszenie poboru prądu przy zwiększonej sprawności. Nowa architektura pozwoliła firmie Samsung na prawie dwukrotny wzrost transferu, w porównaniu do poprzednika, DDR3.