292,5 mln EUR dla włoskich półprzewodników od Unii Europejskiej
Komisja Europejska zatwierdziła wsparcie dla budowy zintegrowanego zakładu produkcji półprzewodników w ramach Instrumentu na rzecz Odbudowy i Zwiększania Odporności.
Unia Europejska wesprze budowę włoskiego zakładu płytek z węglika krzemu („SiC”) STMicroelectronics w Katanii (Sycylia), czytamy w komunikacie prasowym. Wsparcie zostało zatwierdzone przez Komisję Europejską zgodnie z unijnymi przepisami dotyczącymi pomocy. Komisja Europejska widzi w nowym zakładzie wzmocnienie bezpieczeństwa dostaw i niezależności cyfrowej Europy w zakresie technologii półprzewodnikowych, zgodnie z europejską ustawą dotyczącą chipów. Inwestycja ma przyczynić się również do osiągnięcia zarówno cyfrowej, jak i zielonej transformacji.
„Zatwierdzony dziś włoski zakład wzmocni europejski łańcuch dostaw półprzewodników, pomagając nam w przeprowadzeniu ekologicznej i cyfrowej transformacji. Zapewni on naszej branży niezawodne źródło innowacyjnych podłoży dla energooszczędnych chipów. Są one potrzebne w pojazdach elektrycznych, stacjach ładowania i innych aplikacjach, które odgrywają ważną rolę w ekologicznej transformacji. Ponadto zakład stworzy możliwości zatrudnienia dla wysoko wykwalifikowanych pracowników na Sycylii, ograniczając jednocześnie możliwe zakłócenia konkurencji” – powiedziała w komunikacie prasowym Margrethe Vestager, Wiceprzewodnicząca wykonawcza odpowiedzialna za politykę konkurencji.
Pomoc przyjmie formę dotacji bezpośredniej w wysokości 292,5 mln EUR na wsparcie inwestycji STMicroelectronics o wartości 730 mln EUR na budowę fabryki płytek z węglika krzemu („SiC”) w Katanii. Zakończenie projektu przewidziane jest na 2026 r. Ma być to pierwsza w Europie zintegrowana linia produkcyjna epitaksjalnych wafli SiC.
W ramach unijnego wsparcia STMicroelectronics zgodziło się zrealizować zamówienia z oceną priorytetową UE w przypadku niedoboru dostaw, inwestować w rozwój nowej generacji mikroukładów oraz nieustannie przyczyniać się do wzmocnienia europejskiego ekosystemu półprzewodników.
