Wydajność, stabilność i liniowość w nowych tranzystorach RF LDMOS

Firma Ampleon wypuściła na rynek nową linię tranzystorów półprzewodnikowych LDMOS (na bazie tlenku metalu bocznie rozproszonym - „laterally diffused metal oxide semiconductor ”), które przeznaczone są do wymagających zastosowań, np. w radiotelefonice, bezpieczeństwie publicznym i obronnym, itp. Nowe tranzystory pracować mają z napięciem 12 V. W ofercie znajdziemy komponenty w obudowach klasycznych (TO-270, OMP), jak i ceramicznych. Minimalny okres użytkowania obu wariantów wynosić ma 15 lat. Pierwsze 2 komponenty, które zostaną wydane oznaczono symbolami BLP9LA25S i BLP5LA55S. Tranzystory te są zaprojektowane do nominalnej pracy z napięciem 12 V w całym paśmie częstotliwości VHF i UHF; od 2 do 941 MHz i zapewniają odpowiednio możliwość operowania mocą 25 W i 55 W. Łączą łatwość użytkowania i ekstremalną wytrzymałość bez poświęcania wydajności, ponieważ umożliwiają wzmocnienie o wartości ponad 18 dB i ponad 65% wydajność w pełnym zakresie częstotliwości roboczych. Wprowadza to spore korzyści dla aplikacji. Likwiduje konieczność budowania wielu stopni wzmacniających, zapewnia większą stabilność, mniejszy gabaryt, a także przyczynia się do uproszczenia systemów chłodzenia. Wynikają z tego też spore korzyści w zakresie redukcji BOM. Dużą ich zaletą jest też doskonała liniowość.