Pierwsze pamięci 4D NAND o 128-warstwach

Firma SK hynix Inc. ogłosiła, że opracowała i rozpoczyna masową produkcję pierwszych na świecie; 128-warstwowych kości pamięciowych TLC (komórka trójpoziomowa) 4D NAND Flash o pojemności 1 Tb (Terabit). Nowe pamięci są bezpośrednimi następcami 96-warstwowych NAND Flash, które wprowadzono 8 miesięcy temu. W nowych, 128-warstwowych pamięciach 4D NAND Flash znajdziemy ponad 360 miliardów komórek NAND, z których każda przechowywać może 3-bity informacji. Aby to osiągnąć, SK Hynix zastosował innowacyjne technologie, takie jak „ultra-jednorodna technologia trawienia pionowego” („ultra-homogeneous vertical etching technology”), „niezawodna wielowarstwowa technologia tworzenia cienkich warstw komórek” („high-reliability multi-layer thin-film cell formation technology”) oraz ultraszybka konstrukcja obwodów małej mocy („ultra-fast low-power circuit design”). Ten zestaw technologii tworzy trzon dla nowej technologii 4D NAND, którą pierwotnie ogłoszono w październiku 2018 r. Połączono tym samym projekt 3D CTF (Charge Trap Flash) z PUC (Peri. Under Cell). Nowe pamięci cechują się tym samym największą gęstością pamięciową; 1 Tb, wśród komponentów TLC. Mały rozmiar gabarytowy, to także jedna z największych zalet nowych scalaków. Dzięki usprawnionej platformie 4D i optymalizacji procesów produkcyjnych, SK Hynix był w stanie zmniejszyć całkowitą liczbę procesów o 5%, umożliwiając ułożenie kolejnych 32 warstw na istniejące 96-warstwowe pamięci NAND, o których wspomnieliśmy powyżej. W rezultacie koszt inwestycyjny przejścia z 96-warstwowej na 128-warstwową NAND został zmniejszony o 60% w porównaniu z poprzednią migracją technologii, znacznie zwiększając efektywność inwestycji. 128-warstwowe 4D NAND 1 Tb cechują się większą wydajnością bitową o 40% w porównaniu do wspomnianej, starszej 96-warstwowej 4D NAND. Dzięki cztero-płaszczyznowej architekturze w jednym układzie, produkt ten osiągnął szybkość przesyłania danych 1400 Mb/s, przy zasilaniu napięciem 1.2 V. Stanowić mają tym samym bardzo wydajne rozwiązania, mające stanowić bazę dla nowych, superszybkich i pojemnych dysków SSD. © SK Hynix Z pomocą 128-warstwowej pamięci flash NAND, o pojemności 1 Tb, liczba kości NAND niezbędnych do stworzenia pamięci o całkowitej powierzchni 1 TB (terabajt), obecnie największej pojemności dla smartfona, zostanie zmniejszona o połowę w porównaniu do obecnych kości pamięciowych NAND o pojemności 512 Gb. Wpłynie to na redukcję wagi, grubości urządzeń, a także redukcji zużycia energii, nawet o 20%. SK Hynix rozpocznie sprzedaż 128-warstwowej pamięci flash 4D NAND od drugiej połowy tego roku. Firma zamierza również rozpocząć masową produkcję dysku SSD o pojemności 2 TB, z wewnętrznym sterownikiem i dedykowanym oprogramowaniem, w pierwszej połowie przyszłego roku. Dyski SSD 16 TB i 32 TB typu NVMe, dla centrów danych, również mają się pojawić w przyszłym roku. Jednocześnie, SK Hynix zapowiedziało, że już niedługo pojawić się mogą kości pamięciowe kolejnej generacji, wykorzystujące aż 176 warstw strukturalnych.