reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 20 sierpnia 2019

60 V MOSFETy z optymalizacją bramek dla dynamicznych aplikacji

Nowe tranzystory MOSFET od Vishay cechują się dużą wydajnością, zapewnianą przez 4-tą generację TrenchFET. Całość została tak zoptymalizowana, szczególnie pod kątem bramek (min. niski ładunek), by zapewnić szybką i efektywną pracę aplikacji.

Projektujesz elektronikę? Zarezerwuj 17 października 2019 roku na największą w Polsce konferencję dedykowaną projektantom, Evertiq Expo Kraków 2019. Przeszło 90 producentów i dystrybutorów komponentów do Twojej dyspozycji, ciekawe wykłady i świetna, twórcza atmosfera. Jesteś zaproszony, wstęp wolny: kliknij po szczegóły. © Evertiq
Firma Vishay Intertechnology zaprezentowała nowy tranzystor MOSFET (n-kanałowy), pracujący z napięciem do 60 V. Stworzono go w oparciu o 4-tą generację technologii TrenchFET. Jest też pierwszym, zoptymalizowanym pod kątem standardowego sterowania bramkami, oferując rezystancję Rds(ON) na poziomie nie większym niż 4 mΩ przy 10 V, czyli o ok 5% mniej, niż u konkurencji. Zaprojektowany został w celu zwiększenia wydajności i gęstości mocy w aplikacjach pracujących w topologii szybkiego przełączania. Npwy komponent z linii Siliconix oznaczony został symbolem SiSS22DN. Cechuje się niskim ładunkiem bramki (QOSS), wynoszącym zaledwie 22.5 nC. Tranzystor został specjalnie zaprojektowany pod tym kątem i z myślą o aplikacjach, gdzie napięcie sterowania bramki wynosi 6 V. Dużą uwagę przyłożono do dynamiki, zapewniając krótkie czasy martwe. Tranzystor udało się zapakować w ulepszoną pod względem termicznym obudowę PowerPAK 1212-8S o wymiarach 3.3 na 3.3 mm, czyli o 65% mniejszej, niż w konkurencyjnych komponentach tego typu. Zapewnia to spore oszczędności w zajmowanej przestrzeni, jak podaje producent.
Załaduj więcej newsów
September 18 2019 10:52 V14.4.0-2