Wydajne diody LED, zielone i czerwone

Naukowcy z Uniwersytetu Lund (Szwecja), opracowali nowatorską metodę syntezy macierzy sub-mikrometrycznych płytek InGaN, do tworzenia wydajniejszych diod LED, emitujących kolory zielone i czerwone. Wzrost jest znaczny, lecz nie powoduje powstawania defektów w strukturze krystalicznej, co poprawia żywotność komponentów. Synteza ta opiera się na selektywnej epitaksji metaloorganicznej w fazie pary (MOVPE). Owocuje to wzrostem zawartości indu o 18%, przy jednoczesnym ograniczeniu odkształceń. Szczegóły tej metody opisano w Nano Letter, w publikacji pod tytułem „InGaN Platelets: Synthesis and Applications toward Green and Red Light-Emitting Diodes”. Opisano tam, że w celu pozbycia się niepożądanych odkształceń, szkodliwych z punktu widzenia właściwości optycznych studni kwantowych InGaN, zazwyczaj hodowanych na warstwach GaN, posłużono się cienką warstwą buforową InGaN, uzyskiwaną poprzez metodę syntezy MOVPE. Podczas etapu wyżarzania, wytrawiono wierzchołki piramidek InGaN do formy sześciokątnych płytek InGaN (w orientacji C), o grubości 100-200 nm i średnicy 630 nm. Dalszy rozwój warstwy buforowej pozwalał na zwiększenie zawartości indu w kolejnych sekcjach. Korzystając z tej strategii, autorzy mogli prototypować QW LED, powstałe na takich płytkach InGaN, emitując światło zielone (na In 0.09Ga0.91N) i czerwone (In 0.18Ga0.82N). Twórcy złożyli już stosowne wnioski w celu ochrony swojej technologii. W opracowywaniu tej technologii brały udział dwie firmy, blisko współpracujące z uniwersytetem: Glo AB oraz Hexagem AB, jak wyjaśnia profesor Lars Samuelson. © ASC Publications