Nowe, mocne komponenty mocy SiC od Microchip

Microchip ogłosił, za pośrednictwem swojej filii Microsemi, że rozpoczyna wydanie produkcyjne nowej rodziny układów mocy typu SiC, które oferują sprawdzoną wytrzymałość i wysoką wydajność związaną z technologią szerokopasmową. Nowe MOSFETy SiC oraz diody Schottky’iego SiC SBD, bo o nich mowa, dopełniać mają szeroką gamę wysoce niezawodnych układów Microchip, które spełniać mają wysokie wymagania co do wydajności, odporności oraz gęstości mocy. Przykładem zastosowań mają być aplikacje motoryzacyjne. MOSFETy przeznaczone są do pracy z napięciem do 700 V, zaś diody Schottky’iego mogą pracować z napięciem do 700 i 1200 V. Nowe produkty dołączają tym samym do istniejącego portfolio wydajnych produktów mocy, bazujących na technologii SiC. W porównaniu do tradycyjnych rozwiązań, nowe produkty SiC od Microchip oferować mają dużo wyższą efektywność przełączania nawet przy bardzo wysokich częstotliwościach. Jednocześnie są dużo wytrzymalsze, zapewniając długą i niezawodną pracę w krytycznych aplikacjach. Diody SBD mają być lepsze aż o 20%, w testach wytrzymałości UML („Unclamped Inductive Switching”). Podobnie rzecz się ma z MOSFET’ami SiC, które według producenta, przewyższać mają alternatywy w testach odporności, wykazując min. świetną integralność kanału przy minimalnej degradacji parametrów, nawet po 100 000 cyklach testu powtarzalnego UIS (RUIS).