Trzecia generacja DRAM DDR4 10 nm

Firma Samsung Electronics opracowała trzecią generację kości pamięciowych DRAM DDR4 o pojemności 8 Gb klasy 10 nanometrowej (1z-nm). Producent rozpoczyna masową produkcję na przełomie roku, lecz bez wykorzystania procesu EUV („Extreme Ultra-Violet”). Nowe pamięci mają uzupełniać zapotrzebowanie, jakie stawiają nowoczesne serwery i komputery PC wysokiej klasy (high-end), które mają trafić na rynek w 2020 roku. Stanowić mają otwarcie drogi dla globalnego rynku, by przejść na nowe interfejsy DRAM, takie jak: DDR5, LPDDR5, GDDR6, które to z kolei mają wspomagać pracę przyszłych aplikacji cyfrowych różnego typu. Kolejne produkty 1z-nm, oferujące coraz to większe pojemności oraz poprawioną wydajność, mają umożliwić firmie Samsung wzmocnienie i utrzymanie swojej pozycji lidera na tym rynku pamięci DRAM klasy premium, wspierając aplikacje związane min. z urządzeniami mobilnymi, serwerami, grafiką, itp. Już wkrótce na rynku pojawić się mają rozwiązania, jak np. moduły DDR4 o pojemności 8 GB, które oparte będą o nowe kości pamięciowe. W tym celu firma Samsung podejmuje współpracę z producentami CPU.