reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Intel Komponenty | 09 listopada 2018

MRAM w FinFET

Intel pod膮偶aj膮c za GlobalFoundries oraz firmy Samsung przedstawia swoje osi膮gni臋cia, jakim jest integracja MRAM w FinFET 22 nm.
Intel pod膮偶a 艣ladami GlobalFoundries, Samsunga i TSMC, opracowuj膮c magnetyczne pami臋ci RAM (MRAM), jako wbudowane pami臋ci nieulotne (NVM) w uk艂adach IC. Szczeg贸艂y maj膮 zosta膰 przedstawione podczas IEDM, kt贸re odb臋dzie si臋 na pocz膮tku grudnia w San Francisco w Kalifornii.

Pami臋ci Flash, b臋d膮ce implementacj膮 wbudowanych pami臋ci NVM, by艂y powszechnie wykorzystywane do oko艂o 40 nm, a poni偶ej 28 nm ich zastosowanie nastr臋cza wielu trudno艣ci. Z tego te偶 wzgl臋du, GlobalFoundries oraz Samsung skierowali swoje wysi艂ki w kierunku MRAM, jako element ich proces贸w FDSOI. W podobnym kierunku pod膮偶a TSMC, kt贸re ma jeszcze w tym roku zaoferowa膰 wsparcie dla MRAM w procesie FinFET w 22 nm.

Jednak integracja MRAM w procesach 22 nm FinFET nie jest prostym zadaniem, czego potwierdzeniem jest op贸藕nienie TSMC. Podczas IEDM naukowcy z Intela chc膮 opisa膰 jak uda艂o im si臋 osi膮gn膮膰 integracj臋 MRAM w firmowe (autorskie) procesy technologiczne CMOS FinFET 22 nm, wykorzystuj膮c p艂yty krzemowe o 艣rednicy 300 mm.

Mowa tu o pami臋ciach bazuj膮cych na z艂膮czach z tunelem magnetycznym zbudowane s膮 z podw贸jnych (MgO) MJT rozdzielonych warstw膮 CoFeB, w konfiguracji 1-1 (1 tranzystor, 1 rezystor), w strukturze stos贸w wieloz艂膮czowych.

Opracowane rozwi膮zania Intela oferuj膮 matryce pami臋ciowe 7.2 Mb. Pami臋ci te s膮 w stanie przetrzymywa膰 dane przez 10 lat, a ilo艣膰 wspieranych cykli zapisu dochodzi膰 mo偶e do 10^6. Widok spod mikroskopu elektronowego ukazuje umiejscowienie struktur pami臋ciowych, pomi臋dzy elementami 2 i 4 (鈥瀖etal-2” i 鈥瀖etal-4”) w procesie 22 nm FinFET Intela.

Szczeg贸艂y mo偶na pozna膰 te偶 w dokumencie pod tytu艂em 鈥濵RAM as Embedded Non-Volatile Memory Solution for 22FFL FinFET Technology”.
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
January 11 2019 20:28 V11.10.27-1