Super pamięci V-NAND już dostępne

Firma Samsung Electronics oficjalnie rozpoczęła masową produkcję swoich nowoczesnych, 96-warstwowych pamięci 3D-NAND o pojemności 256 Gb. Są to zapowiadane już dawno pamięci typu V-NAND, zbudowane w oparciu o najnowsze technologie producenta. Wykorzystano tu nie tylko technologie wielowarstwowe, ale także trzech bitów na celę oraz interfejs Toggle DDR 4.0 NAND, który umożliwić ma transferowanie danych z prędkością 1.4 Gbps. W porównaniu do swojego poprzednika (64-warstwowego), nowe pamięci są więc o około 40% szybsze. Szybkość odczytu ma być większa o nawet 50%. Ponadto, nowe pamięci mają przyczyniać się także do mniejszego zużycia energii. Operować mogą bowiem przy niższym napięciu, bo już zaledwie 1.2 V. Jest to piąta generacja pamięci 3D-NAND, stąd właśnie nazwa V-NAND. Oprócz wspomnianych wyżej korzyści, unowocześniona technologia zawiera w sobie także jeszcze kilka zmian na poziomie struktury pamięci. Same warstwy są o 20% cieńsze, co ma skutkować mniejszymi przesłuchami i większą niezawodnością. Jak zapewnia Kye Hyun Kyung z Samsunga, tą technologię czeka wkrótce kolejne rozwinięcie. Już niedługo na rynek mają trafić komponenty typu QLC, czyli „quad-level cell”, a więc komórek ‘poczwórnych’. Ma to skutkować ogromnym zwiększeniem pojemności tych pamięci nawet do 1 Tb (terabita), a więc 4-krotnym w stosunku do omawianych wyżej kości pamięciowych. Nie wiadomo jednak, kiedy pojawią się na rynku.