reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© tugores34_dreamstime.com Technologie | 25 lipca 2018

Przełom w technologii pamięci nieulotnych - 3D XPoint

Nowa technologia pamięciowa, opracowana przez Micron oraz Intel, może prawdziwie odmienić oblicze pamięci nieulotnych. Pobijają to co znamy (NAND) nawet 1000-krotnie. Dzięki temu znacząco poprawi się wydajność wielu aplikacji, w tym przede wszystkim aplikacji big-data.
Rozwój technologiczny trwa nieustannie. Olbrzymi wzrost liczby urządzeń mobilnych i połączonych oraz technologii chmurowych, jak również sieci rozproszonych sprawił, że znacząco zwiększyła się ilość przetwarzanych i gromadzonych danych, w wielu różnych sektorach. Istnieje też potrzeba, by te dane były zapisywane i analizowane jeszcze sprawniej.

Odpowiedzią na te potrzeby ma być nowa technologia pamięciowa - 3D XPoint. To zupełnie nowa klasa pamięci nieulotnych, dzięki której możliwy będzie niemal natychmiastowy dostęp do olbrzymich ilości danych w czasie rzeczywistym.

W porównaniu do technologii NAND wytrzymałość tych danych jest wielokrotnie lepsza, a czas opóźnień ma być nawet 1000-krotnie mniejszy. Dzięki 3d XPoint możliwy będzie potężny wzrost wydajnościowy w aplikacjach związanych z big-data, jak również w wielu innych.

Technologia ta została opracowana przez firmę Micron przy współpracy z Intel, w ramach programu 3D XPoint Joint Development Program. Plan rozwojowy zakłada, że pamięci oparte na tej technologii (w swojej drugiej generacji) trafią na rynek w pierwszej połowie 2019 roku. Do tego czasu mają być realizowane dalsze procesy optymalizacyjne technologii. Ich produkcja rozpocząć się ma w ośrodku Intel-Micron Flash Technologies (IMFT) w USA, w Utah.



Sekretem tej technologii jest kilka kluczowych innowacji:
  • struktura macierzy krzyżowej – opiera się na prostopadłych przewodnikach łączących ze sobą 128 miliardów gęsto upakowanych komórek pamięciowych. Każda z nich zdolna jest przechowywać trwale jeden bit informacji. Kompaktowa struktura zapewnia dużą gęstość i świetną wydajność.
  • stosy – wstępna wersja technologii zapewniać ma dwie warstwy pamięciowe, co owocuje pojemnością 128 Gb pojedynczej kości. Przyszłe generacja będą rozwijać się w kierunku zwiększenia liczby warstw, a tym samym pojemności.
  • selektory – zastosowanie mechanizmu selektorów, których sterowanie odbywa się za pomocą podawania różnych poziomów napięciowych, umożliwia szybkie i sprawne odczytywanie danych. Udało się tym samym wyeliminować tranzystory, co skutkuje zwiększeniem gęstości, a także obniżeniem kosztów.
  • szybko przełączające się komórki pamięciowe – dzięki małym wymiarom, szybkim selektorom i struktury sprzyjającej redukcji opóźnień, komórki mogą pracować niezwykle szybko i sprawnie, przy wsparciu efektywnie działającego algorytmu zapisującego.


Kolejnym etapem rozwojowym ma być technologia QuantX autorstwa Micron, która stanowić ma platformę dla pamięci, mających trafić do odbiorców końcowych, zainteresowanych takimi rozwiązaniami.

Link do szczegółowej prezentacji technologii (45 minut): https://www.youtube.com/watch?time_continue=2&v=VsioS35D-HY

Komentarze

Zauważ proszę, że komentarze krytyczne są jak najbardziej pożądane, zachęcamy do ich zamieszczania i dalszej dyskusji. Jednak komentarze obraźliwe, rasistowskie czy homofobiczne nie są przez nas akceptowane. Tego typu komentarze będą przez nas usuwane.
Załaduj więcej newsów
October 15 2018 23:56 V11.6.0-2