© tugores34_dreamstime.com
Technologie |
Przełom w technologii pamięci nieulotnych - 3D XPoint
Nowa technologia pamięciowa, opracowana przez Micron oraz Intel, może prawdziwie odmienić oblicze pamięci nieulotnych. Pobijają to co znamy (NAND) nawet 1000-krotnie. Dzięki temu znacząco poprawi się wydajność wielu aplikacji, w tym przede wszystkim aplikacji big-data.
Rozwój technologiczny trwa nieustannie. Olbrzymi wzrost liczby urządzeń mobilnych i połączonych oraz technologii chmurowych, jak również sieci rozproszonych sprawił, że znacząco zwiększyła się ilość przetwarzanych i gromadzonych danych, w wielu różnych sektorach. Istnieje też potrzeba, by te dane były zapisywane i analizowane jeszcze sprawniej.
Odpowiedzią na te potrzeby ma być nowa technologia pamięciowa - 3D XPoint. To zupełnie nowa klasa pamięci nieulotnych, dzięki której możliwy będzie niemal natychmiastowy dostęp do olbrzymich ilości danych w czasie rzeczywistym.
W porównaniu do technologii NAND wytrzymałość tych danych jest wielokrotnie lepsza, a czas opóźnień ma być nawet 1000-krotnie mniejszy. Dzięki 3d XPoint możliwy będzie potężny wzrost wydajnościowy w aplikacjach związanych z big-data, jak również w wielu innych.
Technologia ta została opracowana przez firmę Micron przy współpracy z Intel, w ramach programu 3D XPoint Joint Development Program. Plan rozwojowy zakłada, że pamięci oparte na tej technologii (w swojej drugiej generacji) trafią na rynek w pierwszej połowie 2019 roku. Do tego czasu mają być realizowane dalsze procesy optymalizacyjne technologii. Ich produkcja rozpocząć się ma w ośrodku Intel-Micron Flash Technologies (IMFT) w USA, w Utah.
Sekretem tej technologii jest kilka kluczowych innowacji:
- struktura macierzy krzyżowej – opiera się na prostopadłych przewodnikach łączących ze sobą 128 miliardów gęsto upakowanych komórek pamięciowych. Każda z nich zdolna jest przechowywać trwale jeden bit informacji. Kompaktowa struktura zapewnia dużą gęstość i świetną wydajność.
- stosy – wstępna wersja technologii zapewniać ma dwie warstwy pamięciowe, co owocuje pojemnością 128 Gb pojedynczej kości. Przyszłe generacja będą rozwijać się w kierunku zwiększenia liczby warstw, a tym samym pojemności.
- selektory – zastosowanie mechanizmu selektorów, których sterowanie odbywa się za pomocą podawania różnych poziomów napięciowych, umożliwia szybkie i sprawne odczytywanie danych. Udało się tym samym wyeliminować tranzystory, co skutkuje zwiększeniem gęstości, a także obniżeniem kosztów.
- szybko przełączające się komórki pamięciowe – dzięki małym wymiarom, szybkim selektorom i struktury sprzyjającej redukcji opóźnień, komórki mogą pracować niezwykle szybko i sprawnie, przy wsparciu efektywnie działającego algorytmu zapisującego.
