© grzegorz wolczyk dreamstime.com
Technologie |
Sięgając granic – procesy 7 i 5 nm wkrótce dostępne
ARM oraz Samsung wspólnie idą do przodu, wytyczając nowe ścieżki technologiczne. Firmy stworzyły pierwszy w swojej klasie kompilator super nieulotnych pamięci eMRAM.
To co naukowcy i inżynierowie przewidzieli parę lat temu staje się rzeczywistością. Zbliżamy się do granic tego, co opisują prawa Moore’a. Wpłynie to na kwestie wydajności energetycznej i zajmowanej powierzchni (PPA), we wszystkich zastosowaniach komputerowych i procesorowych.
Sięgnie to szczególnie aplikacji wbudowanych i mobilnych, szeroko wykorzystywanych przez konsumentów i rynek przemysłowy. Od układów w nich zawartych wymaga się, by były niezawodne, energooszczędne i wydajne, wliczając w to stosowane układy pamięciowe. Parametry te są często ograniczone przez szybkość, moc i skalowalność stosowanych pamięci nieulotnych, takich jak eFlash.
Wbudowane megnetorezystancyjne pamięci eMRAM to nowość wśród pamięci nieulotnych. ARM oraz Samsung wspólnie zaprezentowały pierwszy taki kompilator eMRAM, który będzie dostępny w technologii procesowej Samsunga 28 FDS (FDSOI).
Kompilator ten umożliwi sprawne dostosowanie swoich projektów modułów pamięciowych pod konkretne wymagania. Efektywność (w tym niższe koszty BOM) kryje się w tym, że eMRAM może być zintegrowana przy użyciu jedynie trzech masek, podczas gdy eFlash wymaga ich co najmniej 12, przy technologiach poniżej 40 nm.
Kompilator eMRAM może pomóc w zastąpieniu pamięci Flash, EEROM i SRAM (stanowiących często bufor danych) jedną, bardzo szybką pamięcią nieulotną. Technologia pamięci eMRAM szczególnie dobrze odnajdzie się w takich aplikacjach jak IoT.
Rozwiązanie to i technologia za tym idąca to najświeższy istotny krok w rozwoju współpracy firmy ARM i Samsung. Od czasu wspólnej pracy nad technologią 65 nm, obie firmy zrobiły spore postępy także i w tym zakresie. Jednak współpraca ta obejmuje o wiele więcej. Na horyzoncie pojawiają się:
- 11 LPP (11nm Low Power Plus),
- 7 LPP (7nm Low Power Plus),
- 5 LPE (5nm Low Power Early).
- wsparcie dla architektur logicznych HD oraz UHD, umożliwiając zoptymalizowanie układów pod kątem wydajności, energochłodnności i zajmowanego obszaru,
- wszechstronny pakiet kompilatorów pamięci, wsparcie dla bibliotek GPIO pod 1.8 i 3.3 V, a także możliwość taktowania procesorów częstotliwościami przekraczającymi 3 GHz,
- wsparcie zaawansowanych technologii, jak również implementacji big.LITTLE oraz DynamIQ.
- podstawą jest sprawdzona technologia 14 nm FinFET od Samsunga,
- bogaty zestaw bibliotek logicznych i kompilatorów pamięci, GPIO, itp.
- wsparcie dla nowej architektury komórkowej o ultra-gęstości i dużej skalowalności, zapewniającej jak najwyższą wydajność przy niewielkim zajmowanym obszarze,
- wsparcie dla AEC-Q100, ASIL B,
- wsparcie dla nowoczesnych aplikacji mobilnych, jak urządzenia noszone, umożliwiając tworzenie bardzo wydajnych jednostek pod tego typu projekty, przy taktowaniu ponad 2 GHz na rdzeniach CPU.