Wysoce wydajne MOSFET’y motoryzacyjne, dzięki super małej Rds(ON)

Firma NXP rozwija swoją rodzinę Nexperia. Nowością są wysoce wydajne tranzystory MOSFET, przeznaczone do aplikacji motoryzacyjnych, mogąc znosić trudne warunki pracy. Posiadają kwalifikację AEC-Q101, potwierdzającą ich trwałość i wytrzymałość. Nowe tranzystory MOSFET LFPAK56 Trench 9 są komponentami mogącymi pracować z napięciem do 40 V, oferując świetną wydajność. Mogą operować prądami o natężeniu do 220 A, co przekłada się na możliwość pracy z mocą sięgającą 1.2 kW (w przypadku BUK9J0R9-40H). Oferowane mają być w nowoczesnej obudowie Power-SO8, stworzonej specjalnie z myślą o aplikacjach i zastosowaniach motoryzacyjnych. Wysoką wydajność udało się osiągnąć dzięki nowym technologiom, które skutkują sporym obniżeniem rezystancji Rds(ON). Przekłada się to na większą gęstość prądową. To z kolei sprawiło, że możliwe było też zredukowanie wymiarów samych tranzystorów. W porównaniu do komponentów o analogicznych parametrach, w typowych obudowach D2PAK, nowe MOSFET’y od NXP są o 81% mniejsze. Zastosowana tu technologia super-złączowa sprawia, że tranzystory te lepiej znoszą pracę lawinową. Nie zabrakło tu również stosownych zabezpieczeń i elementów ochronnych, jak czytamy w notatce producenta. Zastosowaniem mogłyby być pompy ABS, ESC, pompy paliwa, chłodziwa, wsparcie sekcji zasilającej (w tym akumulatorów w samochodach elektrycznych), konwertery DC/DC, itd.