© Evertiq
Komponenty |
Kości pamięci flash o pojemności 512 GB
Samsung tworzy pamięci eUFS nowej generacji, dla nowej generacji urządzeń mobilnych. Nowe pamięci oferować mają nie tylko ogromną przestrzeń dyskową, ale także świetną wydajność, wielokrotnie większą niż w przypadku klasycznych kart SD.
Firma Samsung rozpoczęła masową produkcję swoich najnowszych, i jak twierdzą także największych na rynku, kości pamięci Flash (eUFS) o pojemności 512 Gigabajtów. Znaleźć mają zastosowanie w najnowszych urządzeniach mobilnych, kolejnej generacji.
Nowe pamięci zbudowane zostały w oparciu o osiem chipów V-NAND o pojemności 512 Gb (gigabit) każdy. Każdy z tych elementów pamięciowych stworzono w oparciu o strukturę trójwymiarową złożoną z 64 warstw. W strukturze nowych komponentów umieszczono tez dedykowany kontroler.
W stosunku do ostatnich kości pamięciowych Samsunga, firmie udało się podwoić pojemność (z 256 GB na 512 GB, przy użyciu chipów 64 warstwowych, zamiast 48-warstwowych). Dzięki większej pojemności, urządzenia będą mogły pomieścić więcej danych, np. 130 filmów w rozdzielczości UHD 4K trwających po 10 minut każdy.
Oprócz dużej pojemności ważna jest też duża wydajność i maksymalne obniżenie zużycia energii. W tym celu Samsung opracował i zaimplementował tutaj najnowsze technologie z tym związane. Sercem jest tu kontroler, który jest w stanie teraz jeszcze szybkiej i skuteczniej mapować przestrzeń pamięciową, tworząc odpowiednio funkcjonalne bloki pamięciowe.
Prędkość odczytu i zapisu sekwencyjnego wynosić ma 860 MB/s i 255 MB/s odpowiednio. Nowa pamięć umożliwiać ma więc przetransferowanie pełnego klipu HD (o wielkości 5 GB) w zaledwie 6 sekund, jak zapewnia producent. Jest to więc około 8-razy szybciej, niż w przypadku klasycznych kart microSD.
W przypadku operacji losowych, wartości te wynosić mają odpowiednio 42000 IOPS i 40000 IOPS. W porównaniu do kart microSD, jest to nawet 400-krotnie szybciej.