reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 20 listopada 2017

MOSFETy trench, którym nie straszne przepi臋cia

Nowe tranzystory MOSFET od Toshiby maj膮 dobrze radzi膰 sobie z przepi臋ciami, dzi臋ki wbudowanej diodzie SRD. 艢wietnie nadadz膮 si臋 do pracy w aplikacjach prostownika synchronicznego.
Firma Toshiba Electronics Europe zaprezentowa艂a swoje nowe diody MOSFET wykorzystuj膮ce technologi臋 Trench, oznaczone jako TPH1R204PB. S膮 to komponenty wytrzyma艂e, dzi臋ki wbudowanej diodzie zwrotnej SRD (鈥瀞oft recovery diode”).

Dzi臋ki SRD ma艂e przepi臋cia pozostaj膮 na niskim poziomie, nie zagra偶aj膮c aplikacji. Sprawia to, 偶e tranzystory te b臋d膮 si臋 艣wietnie sprawowa膰 w aplikacjach prostownika synchronicznego po stronie wt贸rnej zasilacza impulsowego, gdzie dodatkowo wymaga si臋 niskiego poziomu emitowanych zak艂贸ce艅 EMI.

Tranzystory te mia艂yby wi臋c znajdowa膰 zastosowanie w r贸偶nego rodzaju konwerterach AC-DC oraz DC-DC, jak r贸wnie偶 przy sterowaniu silnikami (np. w urz膮dzeniach bezprzewodowych).

TPH1R204PB jest tranzystorem typu N, kt贸rego rezystancja Rds(ON) wynosi膰 ma zaledwie 1.2 m惟 (przy Vgs r贸wnym 10V). Qoss wynosi膰 ma 56 nC. MOSFET鈥檡 te oferowane maj膮 by膰 w obudowie SOP o wymiarach 5 na 6 mm.
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
January 17 2019 14:20 V11.11.0-1