reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© alexander fediachov dreamstime.com Technologie | 13 pa藕dziernika 2017

ReRAM 1000-krotnie szybsze ni偶 Flash

Nowe pami臋ci ReRAM 3D od Crossbar do rewolucyjny wzrost wydajno艣ci, poprawiaj膮c szybko艣膰 tych pami臋ci nawet 1000-krotnie. Co wi臋cej, mo偶liwe jest te偶 zej艣cie do 10 nm, tworz膮c ko艣ci pami臋ciowe o pojemno艣ci nawet kilku terabajt贸w.
ReRAM w ostatnim czasie prze偶ywa silny rozw贸j i coraz cz臋艣ciej si臋 m贸wi tej technologii, jako nast臋pcy pami臋ci Flash. Nad rozwojem ReRAM pracuje mi臋dzy innymi firma Crossbar, prezentuj膮c swoje najnowsze osi膮gni臋cia w pami臋ciach tego typu. Crossbar stworzy艂 pami臋ci 3D ReRAM, kt贸re maj膮 by膰 nawet 1000-krotnie szybsze, ni偶 klasyczne pami臋ci Flash. Jest to zas艂uga w sporej mierze znacznej redukcji czasu op贸藕nie艅 przy odczycie (100-krotnie). Co ciekawe, pami臋ci te bazowa膰 maj膮 na standardowych procesach tworzenia struktur pami臋ciowych oraz na materia艂ach CMOS. Dzi臋ki temu technologi臋 t臋 b臋dzie mo偶na w do艣膰 prosty spos贸b wdro偶y膰 do masowej produkcji, obni偶aj膮c koszty wprowadzenia na rynek.
Prosta i skalowalna struktura kom贸rek, opracowana przez Crossbar, umo偶liwia wyprodukowanie nowej klasy pami臋ci 3D ReRAM, kt贸re mog膮 by膰 wytwarzane w standardowym procesie CMOS.
Metoda produkcji wykorzystuje procesy nisko-temperaturowe. Dzi臋ki temu mo偶liwe jest bezpo艣rednie umieszczenie wielu warstw pami臋ci ReRAM na logice CMOS, w ramach pojedynczego uk艂adu scalonego. W efekcie, mo偶liwe staje si臋 tworzenie struktur tr贸jwymiarowe, kt贸re nie tylko zwi臋ksz膮 pojemno艣膰 poszczeg贸lnych uk艂ad贸w pami臋ciowych, ale b臋d膮 zajmowa膰 mniej miejsca. Jak szacuje producent, dzi臋ki swoim zaletom, mo偶liwe b臋dzie stworzenie (pojedynczych) ko艣ci pami臋ciowych o pojemno艣ciach si臋gaj膮cych kilku terabajt贸w. Warto te偶 zwr贸ci膰 uwag臋 na kwestie miniaturyzacji w stosunku do wydajno艣ci. W przypadku technologii Flash dzieje si臋 tak, 偶e w miar臋 zmniejszania si臋 poszczeg贸lnych kom贸rek pami臋ciowych i 艣cie偶ek, spada te偶 wydajno艣膰. W przypadku ReRAM od Crossbar efekt ten nie wyst臋puje. Umo偶liwia to budowanie wydanych, superszybkich pami臋ci, schodz膮c nawet poni偶ej 10 nm. Nowe pami臋ci ReRAM wydaj膮 si臋 by膰 wi臋c ciekaw膮 alternatyw膮 dla pami臋ci Flash (i nie tylko). S膮 one nie tylko wielokrotnie szybsze, ale mog膮 przyczyni膰 si臋 do jeszcze wi臋kszej miniaturyzacji oraz ogromnej poprawy pojemno艣ci ca艂ych modu艂贸w pami臋ciowych. Jak zapewnia producent, lepsza jest tak偶e ich 偶ywotno艣膰, jako elementy przechowywania danych na d艂u偶ej. Producent zapewnia, 偶e dane mog膮 by膰 bezproblemowo przechowywane nawet przez 10 lat w temperaturze 85 stopni Celsjusza. Maksymalna temperatura pracy wynosi膰 ma 125 stopni Celsjusza, za艣 minimalna -40. 呕ywotno艣膰 szacuje si臋 na nawet milion cykli zapisu. Warto te偶 zwr贸ci膰 uwag臋, 偶e proces usuwania danych praktycznie nic nie kosztuje, co r贸wnie偶 poprawia og贸ln膮 efektywno艣膰 pami臋ci ReRAM, w stosunku do Flash. 漏 Crossbar
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
February 15 2019 09:57 V12.1.1-2