reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 18 września 2017

Zaawansowany proces 65 nm na 5 V od TowerJazz

Nowa technologia 65 nm 5 V dla energoelektroniki od TowerJazz ma przynieść gęstsze upakowanieperyferii, przy zachowaniu wysokiej wydajności i mniejszych gabarytów. Stanowić ma następcę dla0.18 um 5 V.

TowerJazz opracowało nowy proces technologiczny CMOS 65 nm na 5 V, przeznaczony dla układów energoelektronicznych, takich jak: oświetlenie LED, przełączniki analogowe, konwerter DC/DC, itp. Ma to być zaawansowana technologia bazująca na podobnej platformie procesowej: motoryzacyjnej 300 mm 65 nm, opracowanej przez Uozu. Nowa technologie 65 nm 5 V dla energoelektroniki ma cechować się wyraźnie poprawioną efektywnością Rdson i dość niskim kosztem. Ma stanowić następcę procesu 0.18 um 5 V. Dzięki tej technologii poprawić się ma również trwałość komponentów, jak zapewniają twórcy. Posiadać ma ponadto bogate portfolio funkcji analogowych i kombinacji metali, co pozwoli zoptymalizować współczynnik wydajności do kosztów, dla każdej z aplikacji z osobna. Technologia ta ma wspierać Multi-layer Masking (MLM) oraz MPW. Opcje te mają wpłynąć na redukcję kosztów. Dobre parametry Rdson udało się osiągnąć dzięki grubszym ścieżkom miedzianym i trzymaniu się wytyczonych zasad projektowych. Wszystko to sprawia, że w technologii tej możliwe było zawarcie większych możliwości i gęstsze upakowanie peryferii analogowych w pojedynczej strukturze, przy zachowaniu bardzo dobrej wydajności i przy minimalnej ilości masek. Redukcja zajmowanej powierzchni wynosić ma około 30%.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
April 24 2019 22:28 V13.2.0-1