reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 18 wrze艣nia 2017

Zaawansowany proces 65 nm na 5 V od TowerJazz

Nowa technologia 65 nm 5 V dla energoelektroniki od TowerJazz ma przynie艣膰 g臋stsze upakowanieperyferii, przy zachowaniu wysokiej wydajno艣ci i mniejszych gabaryt贸w. Stanowi膰 ma nast臋pc臋 dla0.18 um 5 V.
TowerJazz opracowa艂o nowy proces technologiczny CMOS 65 nm na 5 V, przeznaczony dla uk艂ad贸w energoelektronicznych, takich jak: o艣wietlenie LED, prze艂膮czniki analogowe, konwerter DC/DC, itp. Ma to by膰 zaawansowana technologia bazuj膮ca na podobnej platformie procesowej: motoryzacyjnej 300 mm 65 nm, opracowanej przez Uozu.

Nowa technologie 65 nm 5 V dla energoelektroniki ma cechowa膰 si臋 wyra藕nie poprawion膮 efektywno艣ci膮 Rdson i do艣膰 niskim kosztem. Ma stanowi膰 nast臋pc臋 procesu 0.18 um 5 V. Dzi臋ki tej technologii poprawi膰 si臋 ma r贸wnie偶 trwa艂o艣膰 komponent贸w, jak zapewniaj膮 tw贸rcy. Posiada膰 ma ponadto bogate portfolio funkcji analogowych i kombinacji metali, co pozwoli zoptymalizowa膰 wsp贸艂czynnik wydajno艣ci do koszt贸w, dla ka偶dej z aplikacji z osobna.

Technologia ta ma wspiera膰 Multi-layer Masking (MLM) oraz MPW. Opcje te maj膮 wp艂yn膮膰 na redukcj臋 koszt贸w. Dobre parametry Rdson uda艂o si臋 osi膮gn膮膰 dzi臋ki grubszym 艣cie偶kom miedzianym i trzymaniu si臋 wytyczonych zasad projektowych.

Wszystko to sprawia, 偶e w technologii tej mo偶liwe by艂o zawarcie wi臋kszych mo偶liwo艣ci i g臋stsze upakowanie peryferii analogowych w pojedynczej strukturze, przy zachowaniu bardzo dobrej wydajno艣ci i przy minimalnej ilo艣ci masek. Redukcja zajmowanej powierzchni wynosi膰 ma oko艂o 30%.
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
December 12 2018 16:24 V11.10.10-2