Co nowego w pamięciach?

Konferencja Flash Summit odbyła się niedawno, 7-9 sierpnia, a jej tematem przewodnim były przede wszystkim różnego rodzaju pamięci nieulotne. Podczas imprezy swoje nowości zaprezentowało kilka firm. Jedną z nich była firma Micron. Ich nowa generacja pamięci NVMe (NVM Express) SSD wykorzystuje najnowszą technologię 3D NAND. Dzięki niej możliwe było osiąganie pojemności sięgających nawet 10 TB. © Micron Wszystko to za sprawą całkowicie nowego podejścia i budowy układu niemal od zera. Co więcej, jak zapewnia Dan Florence (menadżer produktowy w Micron), ich nowe pamięci Micron 9200 SSD są też znacznie szybsze. Wzrost szybkości ma być nawet 10-krotny, pozwalając na osiąganie prędkości rzędu 4,6 GB/s i nawet ponad milion odczytów IOPS. Zysk pojemności i wydajności będzie więc naprawdę spory, na czym zyskać może wiele różnych aplikacji, zwłaszcza tych nastawionych na wysoką wydajność obliczeniową. NVMe wykorzystywać ma pełen potencjał najnowszych standardów interfejsu PCIe. Swoje nowości zaprezentowało również konsorcjum Gen-Z, skupiając się na pamięciach DRAM. Mowa tu o ich nowoczesnej technologii pamięciowej, pozwalającej stworzyć trwałe pamięci DRAM, o bardzo wysokiej wydajności. W grupie tej, prezentującej nowe możliwości technologii Gen-Z znaleźć można min. Hewlett-Packard Enterprice oraz Western Digital, a także Lam Research i wielu innych. Jak zapewniają twórcy, Gen-Z ma być w stanie zrewolucjonizować to, w jaki sposób funkcjonować będą pamięci i procesory, wpływając na ich projekty i architekturę. Zmiana ma dotyczyć min. tego, w jaki sposób postrzegana jest relacja pomiędzy procesorem, a pamięcią. Nowe podejście ma sprawić, że to pamięci staną się centralnym punktem nowej klasy procesorów. Przykładem mogą tu być nowoczesne systemy i chipy do nauki maszynowej, które już teraz zmierzają w tym właśnie kierunku, jak podaje Rick Gottscho, CTO w Lam Research. Nowe pamięci, wykorzystujące technologię Gen-Z mogą pojawić się już niedługo, bo w październiku. Wykorzystywać mają nowe linie DIMM. Będzie to interfejs szybszy, o większej przepustowości, a jednocześnie wykorzystujący mniejszą ilość pinów. Szacuje się, że przepustowość wynieść może od 112 do nawet 400 GB/s. Kości pamięciowe mają również sporo zyskać na pojemności. Jak zapewnia HPE, dzięki technologii układania 2.5-D, chipy zyskają nie tylko na wspomnianej pojemności, ale też sporo na przepustowości. Do komunikacji z procesorami i innymi podzespołami wykorzystywane mają być takie interfejsy jak PCI-Express, Serdes czy też bloki Ethernet. Odchodząc od nowoczesnych, rewolucyjnych pamięci DRAM, warto też zwrócić uwagę na propozycję firmy Everspin, prezentującej nowe kości pamięciowe MRAM. Firma zbudowała nowe chipy o pojemności 256 Mb, co owocować ma stworzeniem modułów (kart), o pojemnościach do 2 GB. Nowe pamięci tego producenta, miałyby stanowić pewną alternatywę dla DRAM w dyskach typu solid-state i matrycach pamięci flash, jako nieulotny bufor pamięciowy i pamięć cache dla zapisu. Produkt Everspin oferować ma możliwość wykonania nawet 7 milionów operacji wejścia/wyjścia na sekundę, przy opóźnieniu sięgającym zaledwie 2 ms. © Everspin Szacuje się, że najpóźniej za 7 lat, wszystkie pamięci będą pamięciami trwałymi. MRAM ma w tym pomóc. Jak zapewnia Joe O’Hare, ich nowe pamięci MRAM mogą pochwalić się bardzo dobrą wydajnością, sięgając tego, co oferują pamięci DRAM, pod względem wydajności, wyprzedzając pod tym względem technologie konkurencyjne. Jednocześnie Everspin pokazało prototypową kartę stanowiącą interfejs dla Gen-Z. Jednak w najbliższym czasie nie trafi ona na rynek konsumencki.