reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq
Komponenty |

ReRAM z tuszu

Naukowcom z Monachium udało się stworzyć niezwykłe pamięci ReRAM. Wykonane zostały z wykorzystaniem drukarki atramentowej. Jest to metoda tania, a same pamięci zużywają bardzo mało energii.

Grupa naukowa z Uniwersytetu Nauki Stosowanej w Monachium stworzyła niezwykłe układy pamięciowe. Stworzono je na giętkim podłożu, w sposób dość niezwykły. Wykorzystali oni bowiem technikę drukowania atramentowego, by stworzyć funkcjonalną pamięć ReRAM. Komórki pamięciowe takiej struktury cechują się częstotliwością przełączania 0.5 V, niskim prądem pracy, a także dużym współczynnikiem pomiędzy stanem wysokim i niskim, na poziomie 10^4. Dzięki temu możliwe będzie przechowywanie więcej niż jednej wartości w pojedynczej komórce. A dokładnie 3 bitów, w pojedynczej komórce. Kompozycja tych pamięci wykorzystuje elektrody srebrne (na górze) na warstwach PEDOS-PSS i dwutlenku krzemu, co stanowi warstwy niższe. Podłożem jest folia PEN o grubości 125 um. Poszczególne komórki ułożone są w trzech warstwach. Do stworzenia tych pamięci posłużono się drukarką FujiDimatix DMP 2831. Metoda tworzenia tych pamięci niesie ze sobą bardzo istotną zaletę. Jest to metoda dość tania. Stworzone pamięci mogą znaleźć zastosowanie w wielu mniejszych urządzeniach w przyszłości. Na uwagę zwraca też bardzo niskie zużycie energii. Pamięci były także testowane na wyginanie. Roff i Ron nie wykazywały znaczących różnic w trakcie wyginania, i to nawet w przypadku gdy promień zgięcia wynosić 15 mm. Przy większym zgięciu, rezystancja Ron zaczynała gwałtownie wzrastać, lecz wszystko wracało do normy, gdy ugięcie zostało zniwelowane. Żywotność szacuje się na około 1000 cykli przełączania. Maksymalny czas przechowywania danych w tej pamięci, w temperaturze pokojowej wynosił niecałe 3,5 godziny. Metoda może być łączona z innymi, opartymi o druk atramentowy, np. z tranzystorami, tworząc bardziej złożone, funkcjonalne układy. Naukowcy pragną w niedługim czasie poprawić żywotność i czas przechowywania danych. Szczegóły technologii opisano na łamach „Applied Physics Letters” (vol 110, issue 14).

reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
March 28 2024 10:16 V22.4.20-2
reklama
reklama