reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 21 lutego 2017

Superszybkie i wydajnie FET z GaN

Nowe tranzystory, wykonane w technologii GaN, cechuj─ů si─Ö niesamowitymi parametrami. S─ů nie tylko wydajniejsze od krzemowych, ale s─ů te┼╝ superszybkie. Pracowa─ç mog─ů nawet 100-krotnie szybciej, ni┼╝ klasyczne ich odpowiedniki.
Firma Navitas Semiconductor zaprezentowa┼éa swoje najnowsze dzie┼éo, jakim s─ů komponenty mocy, wykonane z materia┼éu GaN. S─ů to wydajne elementy FET, cechuj─ůce si─Ö nisk─ů rezystancj─ů, na poziomie 160 m╬ę. Nowe komponenty oznaczone zosta┼éy symbolami NV6131, NV6105 oraz NV6115. Nale┼╝─ů do linii iDrive. Pracowa─ç mog─ů z napi─Öciem do 650 V. Wykonane zosta┼éy w oparciu o autorsk─ů technologi─Ö producenta: AllGaN. To co je ma wyr├│┼╝nia─ç, to niesamowita pr─Ödko┼Ť─ç prze┼é─ůczania, kt├│ra ma by─ç nawet 100-razy wi─Öksza, ni┼╝ w przypadku komponent├│w krzemowych. Nowe tranzystory iDrive mog─ů przyczyni─ç si─Ö do zwi─Ökszenia cz─Östotliwo┼Ťci pracy aplikacji (od 10 do 100x), a tak┼╝e poprawi─ç efektywno┼Ť─ç gotowej aplikacji. Mog─ů te┼╝ wp┼éyn─ů─ç na obni┼╝enie koszt├│w budowy aplikacji, nawet o 20%. Komponenty te maj─ů cechowa─ç si─Ö tak┼╝e 5-krotnie wi─Öksz─ů g─Östo┼Ťci─ů mocy. Dzi─Öki zastosowaniu specjalnej budowy uda┼éo si─Ö znacz─ůco zredukowa─ç straty przewodzenia, co pozwoli┼éo na zwi─Ökszenie wydajno┼Ťci i mo┼╝liwo┼Ť─ç pracy przy tak wysokich pr─Ödko┼Ťciach prze┼é─ůczania. Zastosowaniem maj─ů by─ç r├│┼╝ne aplikacje mocy, jak zasilacze dla urz─ůdze┼ä domowych, system├│w LED, szybkich ┼éadowarek, aplikacji solarnych, itd.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
February 15 2019 09:57 V12.1.1-2