reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 21 lutego 2017

Superszybkie i wydajnie FET z GaN

Nowe tranzystory, wykonane w technologii GaN, cechują się niesamowitymi parametrami. Są nie tylko wydajniejsze od krzemowych, ale są też superszybkie. Pracować mogą nawet 100-krotnie szybciej, niż klasyczne ich odpowiedniki.

Firma Navitas Semiconductor zaprezentowała swoje najnowsze dzieło, jakim są komponenty mocy, wykonane z materiału GaN. Są to wydajne elementy FET, cechujące się niską rezystancją, na poziomie 160 mΩ. Nowe komponenty oznaczone zostały symbolami NV6131, NV6105 oraz NV6115. Należą do linii iDrive. Pracować mogą z napięciem do 650 V. Wykonane zostały w oparciu o autorską technologię producenta: AllGaN. To co je ma wyróżniać, to niesamowita prędkość przełączania, która ma być nawet 100-razy większa, niż w przypadku komponentów krzemowych. Nowe tranzystory iDrive mogą przyczynić się do zwiększenia częstotliwości pracy aplikacji (od 10 do 100x), a także poprawić efektywność gotowej aplikacji. Mogą też wpłynąć na obniżenie kosztów budowy aplikacji, nawet o 20%. Komponenty te mają cechować się także 5-krotnie większą gęstością mocy. Dzięki zastosowaniu specjalnej budowy udało się znacząco zredukować straty przewodzenia, co pozwoliło na zwiększenie wydajności i możliwość pracy przy tak wysokich prędkościach przełączania. Zastosowaniem mają być różne aplikacje mocy, jak zasilacze dla urządzeń domowych, systemów LED, szybkich ładowarek, aplikacji solarnych, itd.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
October 11 2019 15:09 V14.5.0-1