reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 10 lutego 2017

Tranzystory germanowe lepsze od krzemowych

Nowoczesny tranzystory z nanoprzewodu germanowego jest komponentem, kt贸ry pozby艂 si臋 problemu up艂ywno艣ciowego. Dodatkowo wprowadza nowe ciekawe mo偶liwo艣ci, jak dynamiczne prze艂膮czanie pomi臋dzy p i n, co da膰 mo偶e nowe mo偶liwo艣ci dla elektroniki scalonej.
Dzi臋ki wysokiej mobilno艣ci elektron贸w, german jest kusz膮cym materia艂em. Jednak ze wzgl臋du na jego s艂ab膮 energi臋 przerwy pasmowej (band-gap energy; 0.66 eV), opracowywanie rozwi膮za艅 opartych na germanie by艂o utrudnione. Powstawa艂o zjawisko du偶ej up艂ywno艣ci, co znacz膮co podnosi艂o straty mocy. Wykorzystuj膮c nanoprzewody germanowe niedomieszkowane, naukowcy z Politechniki w Dresden (mi臋dzywydzia艂owe badania NaMLab oraz CFAED), opracowali dwu-bramkowy tranzystor. Nie tylko uda艂o si臋 pozby膰 efektu up艂ywno艣ciowego (wycieku), to dodatkowo, tak stworzony komponent da si臋 programowa膰 na dwa sposoby: elektronami(n) i 鈥瀌ziurami鈥(p). 漏 ASC Nano Szczeg贸艂owy opis nowego tranzystora mo偶na znale藕膰 w pracy naukowej zatytu艂owanej jako: 鈥"Enabling Energy Efficiency and Polarity Control in Germanium Nanowire Transistors by Individually Gated Nanojunctions鈥 na 艂amach ACS Nano. Pokazano tam mi臋dzy innymi dzia艂anie dw贸ch niezale偶nych bramek do stworzenia dodatkowej bariery energetycznej, do blokowania niechcianych typ贸w no艣nik贸w. Naukowcy pokazali r贸wnie偶 jak mo偶na zmienia膰 polaryzacj臋 uk艂adu z typu n na p. Chocia偶 koncept nowego tranzystora zosta艂 potwierdzony eksperymentalnie, tworz膮c tranzystor FET z diod膮 Schottkiego, naukowcy licz膮, 偶e podobne rozwi膮zania uda si臋 zastosowa膰 w innych typach tranzystor贸w, w tym tunelowych FET lub bezz艂膮czowych tranzystorach. Ciekaw膮 funkcj膮 jest bowiem mo偶liwo艣膰 dynamicznego przej艣cia pomi臋dzy funkcjonalno艣ci膮 p i n. Oczywi艣cie warto zaznaczy膰, 偶e uda艂o si臋 te偶 osi膮gn膮膰 najwa偶niejsze, czyli zniwelowa膰 up艂ywno艣膰 pr膮dow膮 podczas stanu wy艂膮czonego tranzystora. Jednak funkcja prze艂膮czania zaimplementowana w strukturze tranzystora, bez konieczno艣ci stosowania dodatkowych zewn臋trznych mechanizm贸w, mo偶e da膰 nowe ciekawe mo偶liwo艣ci dla gotowych uk艂ad贸w opartych na takich tranzystorach. 漏 namlab Pokazano koncept uk艂adu MUX o dw贸ch wej艣ciach i 8-bitowego CCA. Wprawdzie taki tranzystor jest nieco wi臋kszy od klasycznego odpowiednika krzemowego, lecz dzi臋ki mo偶liwo艣ci prze艂膮czania si臋, wynikowa powierzchnia zajmowana przez takie tranzystory b臋dzie mniejsza (65% powierzchni zajmowanej przez CMOS). Nowe tranzystory z nanoprzewod贸w germanowych maj膮 nie艣膰 ze sob膮 jeszcze kilka istotnych korzy艣ci nad rozwi膮zaniami krzemowymi. S膮 to komponenty bardziej wydajne (dynamiczny pob贸r energii ma by膰 mniejszy, nawet 4-krotnie) i mog膮 pracowa膰 z mniejszymi (o oko艂o po艂ow臋) napi臋ciami.
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
February 22 2019 14:26 V12.2.6-2