reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 24 stycznia 2017

Tlenek galu poprawi wydajność energoelektroniki

Nowy materiał tlenku galu ma pozwolić na budowę wysoce wydajnych tranzystorów i innych komponentów energoelektroniki (w stosunku do rozwiązań krzemowych), pracujących przy wysokim napięciu.
Naukowcy z Purdue University przeprowadzili badania, których wyniki zostały opublikowane na łamach IEEE Electron Device Letters. Publikacja ta dotyczyła wykorzystania nowego materiału półprzewodnikowego: beta tlenku galu (Ga2O3).

Materiał ten ma wprowadzić większą wydajność w komponentach elektronicznych pracujących z dużymi mocami oraz napięciami. Przykładem był specjalnie do tego celu stworzony tranzystor typu FET, który wykorzystywał warstwy Ga2O3 na izolatorze (GOOI), jako główny element komponentu.

Materiał ten cechuje się dużą przerwą pasma („band gap”), co ma wpływać na wyraźną poprawę efektywności pracy takiego tranzystora przy pracy z wysokim napięciem. Mowa tu oczywiście o porównaniu do krzemu. Współczynnik załączania do wyłączania („on/off ratio”) wynosić ma 10^10.

Ponadto, tak stworzony tranzystor GOOI FET posiadać ma dodatkowe korzyści, w tym rozmiar (przerwa źródło-dren to tylko 0.9 um), napięcie przebicia 185 V, pole elektryczne na poziomie 2 MV/cm, itp. Wszystko to ma wpływać na poprawę wydajności w stosunku do krzemu.

Co jednak ciekawe, technologia ta ma być tania. Naukowcom bowiem udało się opracować metodę tworzenia warstw Ga2O3 niskim kosztem. Proces ten przypominać ma nieco metodę produkcji grafenu.

Jak na razie jednak, materiał ten cechuje się słabymi parametrami termicznymi. Naukowcy więc będą w najbliższym czasie pracować nad tym, by poprawić tą kwestię. W planach jest wykorzystanie azotku aluminium, a nawet diamentów.

Komentarze

Zauważ proszę, że komentarze krytyczne są jak najbardziej pożądane, zachęcamy do ich zamieszczania i dalszej dyskusji. Jednak komentarze obraźliwe, rasistowskie czy homofobiczne nie są przez nas akceptowane. Tego typu komentarze będą przez nas usuwane.
Załaduj więcej newsów
October 15 2018 23:56 V11.6.0-1