Tlenek galu poprawi wydajność energoelektroniki

Naukowcy z Purdue University przeprowadzili badania, których wyniki zostały opublikowane na łamach IEEE Electron Device Letters. Publikacja ta dotyczyła wykorzystania nowego materiału półprzewodnikowego: beta tlenku galu (Ga2O3). Materiał ten ma wprowadzić większą wydajność w komponentach elektronicznych pracujących z dużymi mocami oraz napięciami. Przykładem był specjalnie do tego celu stworzony tranzystor typu FET, który wykorzystywał warstwy Ga2O3 na izolatorze (GOOI), jako główny element komponentu. Materiał ten cechuje się dużą przerwą pasma („band gap”), co ma wpływać na wyraźną poprawę efektywności pracy takiego tranzystora przy pracy z wysokim napięciem. Mowa tu oczywiście o porównaniu do krzemu. Współczynnik załączania do wyłączania („on/off ratio”) wynosić ma 10^10. Ponadto, tak stworzony tranzystor GOOI FET posiadać ma dodatkowe korzyści, w tym rozmiar (przerwa źródło-dren to tylko 0.9 um), napięcie przebicia 185 V, pole elektryczne na poziomie 2 MV/cm, itp. Wszystko to ma wpływać na poprawę wydajności w stosunku do krzemu. Co jednak ciekawe, technologia ta ma być tania. Naukowcom bowiem udało się opracować metodę tworzenia warstw Ga2O3 niskim kosztem. Proces ten przypominać ma nieco metodę produkcji grafenu. Jak na razie jednak, materiał ten cechuje się słabymi parametrami termicznymi. Naukowcy więc będą w najbliższym czasie pracować nad tym, by poprawić tą kwestię. W planach jest wykorzystanie azotku aluminium, a nawet diamentów.