reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 24 stycznia 2017

Tlenek galu poprawi wydajno艣膰 energoelektroniki

Nowy materia艂 tlenku galu ma pozwoli膰 na budow臋 wysoce wydajnych tranzystor贸w i innych komponent贸w energoelektroniki (w stosunku do rozwi膮za艅 krzemowych), pracuj膮cych przy wysokim napi臋ciu.
Naukowcy z Purdue University przeprowadzili badania, kt贸rych wyniki zosta艂y opublikowane na 艂amach IEEE Electron Device Letters. Publikacja ta dotyczy艂a wykorzystania nowego materia艂u p贸艂przewodnikowego: beta tlenku galu (Ga2O3).

Materia艂 ten ma wprowadzi膰 wi臋ksz膮 wydajno艣膰 w komponentach elektronicznych pracuj膮cych z du偶ymi mocami oraz napi臋ciami. Przyk艂adem by艂 specjalnie do tego celu stworzony tranzystor typu FET, kt贸ry wykorzystywa艂 warstwy Ga2O3 na izolatorze (GOOI), jako g艂贸wny element komponentu.

Materia艂 ten cechuje si臋 du偶膮 przerw膮 pasma (鈥瀊and gap”), co ma wp艂ywa膰 na wyra藕n膮 popraw臋 efektywno艣ci pracy takiego tranzystora przy pracy z wysokim napi臋ciem. Mowa tu oczywi艣cie o por贸wnaniu do krzemu. Wsp贸艂czynnik za艂膮czania do wy艂膮czania (鈥瀘n/off ratio”) wynosi膰 ma 10^10.

Ponadto, tak stworzony tranzystor GOOI FET posiada膰 ma dodatkowe korzy艣ci, w tym rozmiar (przerwa 藕r贸d艂o-dren to tylko 0.9 um), napi臋cie przebicia 185 V, pole elektryczne na poziomie 2 MV/cm, itp. Wszystko to ma wp艂ywa膰 na popraw臋 wydajno艣ci w stosunku do krzemu.

Co jednak ciekawe, technologia ta ma by膰 tania. Naukowcom bowiem uda艂o si臋 opracowa膰 metod臋 tworzenia warstw Ga2O3 niskim kosztem. Proces ten przypomina膰 ma nieco metod臋 produkcji grafenu.

Jak na razie jednak, materia艂 ten cechuje si臋 s艂abymi parametrami termicznymi. Naukowcy wi臋c b臋d膮 w najbli偶szym czasie pracowa膰 nad tym, by poprawi膰 t膮 kwesti臋. W planach jest wykorzystanie azotku aluminium, a nawet diament贸w.
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
January 11 2019 20:28 V11.10.27-1