reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 05 stycznia 2017

MOSFETy odporne na promieniowanie

Nowe tranzystory dla satelit od IR HiRel zaprojektowano z wykorzystaniem nowoczesnych technologii, które poprawiły parametry elektryczne i mechaniczne tych komponentów, sprawiając, że są jeszcze wydajniejsze i żywotniejsze.

Firma International Rectifier HiRel, zaprezentowała swoje nowe tranzystory, odporne na promieniowanie. Są to tranzystory MOSFET, które wykorzystują własną, nowoczesną technologię: platformę R9. W porównaniu z poprzednimi technologiami, nowe wzmocnione tranzystory mają oferować realne korzyści związane z wagą tranzystorów, wielkością oraz wydajnością. Oznaczone zostały jako IRHNJ9A7130 oraz IRHNJ9A3130. Oferować mają niską wartość rezystancji Rds(ON), na poziomie 25 mΩ, co ma być wartością o 33% mniejszą, od poprzednich generacji. Odporność na promieniowanie zapewnione ma być od 100 do 300 kRad (wartości podane dla TID – całkowitej dawki promieniowania). Zwiększono też wartość prądu drenu, z 22 do 35 A, jakie tranzystor może obsługiwać. Napięcie pracy wynosić ma do 100 V. Ich żywotność szacuje się na co najmniej 15 lat, podczas pracy w trudnych warunkach. Zastosowaniem mają być aplikacje pracujące w przestrzeni kosmicznej na satelitach, jak np. konwertery DC/DC, kontrolery silników, itp. Poprawiono tutaj też odporność na SEE (Single Event Effect) i poprawiono też parametry dla LET (Linear Energy Transfer) o 10%. Komponenty zamknięto w ceramicznej obudowie o wymiarach około 10.3 na 7.6 mm.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
April 20 2019 11:13 V13.1.0-1