reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 05 stycznia 2017

MOSFETy odporne na promieniowanie

Nowe tranzystory dla satelit od IR HiRel zaprojektowano z wykorzystaniem nowoczesnych technologii, które poprawiły parametry elektryczne i mechaniczne tych komponentów, sprawiając, że są jeszcze wydajniejsze i żywotniejsze.
Firma International Rectifier HiRel, zaprezentowała swoje nowe tranzystory, odporne na promieniowanie. Są to tranzystory MOSFET, które wykorzystują własną, nowoczesną technologię: platformę R9.

W porównaniu z poprzednimi technologiami, nowe wzmocnione tranzystory mają oferować realne korzyści związane z wagą tranzystorów, wielkością oraz wydajnością. Oznaczone zostały jako IRHNJ9A7130 oraz IRHNJ9A3130.

Oferować mają niską wartość rezystancji Rds(ON), na poziomie 25 mΩ, co ma być wartością o 33% mniejszą, od poprzednich generacji. Odporność na promieniowanie zapewnione ma być od 100 do 300 kRad (wartości podane dla TID – całkowitej dawki promieniowania).

Zwiększono też wartość prądu drenu, z 22 do 35 A, jakie tranzystor może obsługiwać. Napięcie pracy wynosić ma do 100 V. Ich żywotność szacuje się na co najmniej 15 lat, podczas pracy w trudnych warunkach.

Zastosowaniem mają być aplikacje pracujące w przestrzeni kosmicznej na satelitach, jak np. konwertery DC/DC, kontrolery silników, itp. Poprawiono tutaj też odporność na SEE (Single Event Effect) i poprawiono też parametry dla LET (Linear Energy Transfer) o 10%. Komponenty zamknięto w ceramicznej obudowie o wymiarach około 10.3 na 7.6 mm.

Komentarze

Zauważ proszę, że komentarze krytyczne są jak najbardziej pożądane, zachęcamy do ich zamieszczania i dalszej dyskusji. Jednak komentarze obraźliwe, rasistowskie czy homofobiczne nie są przez nas akceptowane. Tego typu komentarze będą przez nas usuwane.
Załaduj więcej newsów
October 15 2018 23:56 V11.6.0-1