reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 05 stycznia 2017

MOSFETy odporne na promieniowanie

Nowe tranzystory dla satelit od IR HiRel zaprojektowano z wykorzystaniem nowoczesnych technologii, kt贸re poprawi艂y parametry elektryczne i mechaniczne tych komponent贸w, sprawiaj膮c, 偶e s膮 jeszcze wydajniejsze i 偶ywotniejsze.
Firma International Rectifier HiRel, zaprezentowa艂a swoje nowe tranzystory, odporne na promieniowanie. S膮 to tranzystory MOSFET, kt贸re wykorzystuj膮 w艂asn膮, nowoczesn膮 technologi臋: platform臋 R9.

W por贸wnaniu z poprzednimi technologiami, nowe wzmocnione tranzystory maj膮 oferowa膰 realne korzy艣ci zwi膮zane z wag膮 tranzystor贸w, wielko艣ci膮 oraz wydajno艣ci膮. Oznaczone zosta艂y jako IRHNJ9A7130 oraz IRHNJ9A3130.

Oferowa膰 maj膮 nisk膮 warto艣膰 rezystancji Rds(ON), na poziomie 25 m惟, co ma by膰 warto艣ci膮 o 33% mniejsz膮, od poprzednich generacji. Odporno艣膰 na promieniowanie zapewnione ma by膰 od 100 do 300 kRad (warto艣ci podane dla TID 鈥 ca艂kowitej dawki promieniowania).

Zwi臋kszono te偶 warto艣膰 pr膮du drenu, z 22 do 35 A, jakie tranzystor mo偶e obs艂ugiwa膰. Napi臋cie pracy wynosi膰 ma do 100 V. Ich 偶ywotno艣膰 szacuje si臋 na co najmniej 15 lat, podczas pracy w trudnych warunkach.

Zastosowaniem maj膮 by膰 aplikacje pracuj膮ce w przestrzeni kosmicznej na satelitach, jak np. konwertery DC/DC, kontrolery silnik贸w, itp. Poprawiono tutaj te偶 odporno艣膰 na SEE (Single Event Effect) i poprawiono te偶 parametry dla LET (Linear Energy Transfer) o 10%. Komponenty zamkni臋to w ceramicznej obudowie o wymiarach oko艂o 10.3 na 7.6 mm.
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
December 13 2018 13:08 V11.10.14-2