reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 28 października 2016

MOSFET-y w obudowach SuperSO8, zamiast tradycyjnych TO-220

Infineon Technologies usprawniło swoje tranzystory MOSFET z rodziny OptiMOS na tyle, że pozwoliło to na zmniejszenie ich obudowy do formatu SuperSO8, zachowując przy tym ich wysoką wydajność.

Firma Infineon Technologies wypuściła nową, piątą już generację swoich tranzystorów MOSFET, przeznaczonych do pracy z napięciem 150 V. Producentowi udało się zredukować rezystancję Rds(ON) w taki sposób, że możliwe było zastąpienie obudowy TO-200 mniejszą – SuperSO8. Nowe komponenty OptiMOS 5, mają cechować się o 29% mniejszą rezystancją w porównaniu do poprzedniej generacji elementów tej rodziny, a która wynosić ma teraz około 9 mΩ. Usprawnieniu uległ też ładunek Qrr, który wynosić ma 26 nC. To o około 72% mniej niż inne, konkurencyjne (będące najbliższymi alternatywami) tranzystory dostępne w takiej samej obudowie. Mają one tym samym stanowić też realną alternatywę dla tranzystorów w obudowach TO-220. Ich gęstość mocy jest większa. Dodatkową zaletą ma być także niższa wartość napięcia Vds i zredukowana indukcyjność komponentów. OptiMOS 5 mają być dostępne w sumie w 6 różnych obudowach. Wszystkie są jednak usprawnione pod względem wydajności i cechują się możliwością pracy z wysokimi częstotliwościami. Producent zaznacza, że dzięki temu nie ma konieczności stosowania kilku takich tranzystorów równolegle, w celu zwiększenia wydajności, gdyż pojedynczy komponent powinien wystarczyć do większości aplikacji. To oczywiście wpływa też na zmniejszenie kosztów oraz gabaryty tworzonej aplikacji.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
August 21 2019 15:49 V14.1.4-2