MOSFET-y w obudowach SuperSO8, zamiast tradycyjnych TO-220

Firma Infineon Technologies wypuściła nową, piątą już generację swoich tranzystorów MOSFET, przeznaczonych do pracy z napięciem 150 V. Producentowi udało się zredukować rezystancję Rds(ON) w taki sposób, że możliwe było zastąpienie obudowy TO-200 mniejszą – SuperSO8. Nowe komponenty OptiMOS 5, mają cechować się o 29% mniejszą rezystancją w porównaniu do poprzedniej generacji elementów tej rodziny, a która wynosić ma teraz około 9 mΩ. Usprawnieniu uległ też ładunek Qrr, który wynosić ma 26 nC. To o około 72% mniej niż inne, konkurencyjne (będące najbliższymi alternatywami) tranzystory dostępne w takiej samej obudowie. Mają one tym samym stanowić też realną alternatywę dla tranzystorów w obudowach TO-220. Ich gęstość mocy jest większa. Dodatkową zaletą ma być także niższa wartość napięcia Vds i zredukowana indukcyjność komponentów. OptiMOS 5 mają być dostępne w sumie w 6 różnych obudowach. Wszystkie są jednak usprawnione pod względem wydajności i cechują się możliwością pracy z wysokimi częstotliwościami. Producent zaznacza, że dzięki temu nie ma konieczności stosowania kilku takich tranzystorów równolegle, w celu zwiększenia wydajności, gdyż pojedynczy komponent powinien wystarczyć do większości aplikacji. To oczywiście wpływa też na zmniejszenie kosztów oraz gabaryty tworzonej aplikacji.