reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 04 maja 2016

UltraMOS o ma艂ych stratach i du偶ej wydajno艣ci

Nowe tranzystory MOSFET od firmy Central Semiconductors zamkni臋to w typowej obudowie TO-200. Parametrami nie s膮 jednak typowe, gdy偶 cechuj膮 si臋 ma艂ymi stratami, a przez to wysok膮 wydajno艣ci膮.
Firma Central Semiconductors przedstawi艂a swoje nowe tranzystory MOSFET, okre艣lane mianem UltraMOS. Maj膮 by膰 to komponenty bardzo wydajne ze wzgl臋du na niski poziom strat. S膮 to te偶 komponenty, kt贸re mog膮 pracowa膰 z napi臋ciem do 800 V.

CDM22012-800LRFP to oznaczenie nowych tranzystor贸w tego producenta, kt贸re pracowa膰 mog膮 z wydajno艣ci膮 do 12 A. Zamkni臋te zosta艂y w obudowie TO-220FP (鈥濬ull Pack”). To co je ma wyr贸偶nia膰 to ma艂e straty.

Mowa tu min. o niskiej warto艣ci rezystancji Rds(ON) wynosz膮cej 0.37 惟, a tak偶e niskiemu 艂adunkowi bramki 7.6 nC. To g艂贸wnie te dwa parametry maj膮 definiowa膰 bardzo dobre charakterystyki wydajno艣ciowe tych tranzystor贸w.

Mog膮 by膰 wykorzystywane w r贸偶nego rodzajach zasilaczach (jak podaje producent, dobrze te偶 b臋d膮 wsp贸艂pracowa膰 z prostownikami HyperFast), w tym w falownikach i aplikacjach PFC (鈥濸ower Factor Corrrection”). W nied艂ugim czasie pojawi膰 si臋 ma tak偶e nieco s艂absza wersja tego tranzystora, przeznaczona do pracy z pr膮dem do 6 A, dla mniej wymagaj膮cych aplikacji.
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
December 13 2018 13:08 V11.10.14-1