UltraMOS o małych stratach i dużej wydajności

Firma Central Semiconductors przedstawiła swoje nowe tranzystory MOSFET, określane mianem UltraMOS. Mają być to komponenty bardzo wydajne ze względu na niski poziom strat. Są to też komponenty, które mogą pracować z napięciem do 800 V. CDM22012-800LRFP to oznaczenie nowych tranzystorów tego producenta, które pracować mogą z wydajnością do 12 A. Zamknięte zostały w obudowie TO-220FP („Full Pack”). To co je ma wyróżniać to małe straty. Mowa tu min. o niskiej wartości rezystancji Rds(ON) wynoszącej 0.37 Ω, a także niskiemu ładunkowi bramki 7.6 nC. To głównie te dwa parametry mają definiować bardzo dobre charakterystyki wydajnościowe tych tranzystorów. Mogą być wykorzystywane w różnego rodzajach zasilaczach (jak podaje producent, dobrze też będą współpracować z prostownikami HyperFast), w tym w falownikach i aplikacjach PFC („Power Factor Corrrection”). W niedługim czasie pojawić się ma także nieco słabsza wersja tego tranzystora, przeznaczona do pracy z prądem do 6 A, dla mniej wymagających aplikacji.