Osram poprawia efektywność w swoich diodach LED o ponad 7%

Firma Osram Opto Semiconductors ogłosiła sukces w badaniach przeprowadzanych nad poprawieniem efektywności świetlnej w swoich diodach LED dużych mocy. Udało się bowiem wyeliminować tzw efekt opadania („droop effect”) przy zasilaniu dużymi prądami. Było to możliwe dzięki udoskonaleniu procesu epitaksji. Epitaksja to technologia półprzewodnikowego wzrostu nowych warstw monokryształów. Pozwala ona powielić sieć krystaliczną podłoża, z której wyrastają nowe warstwy. Metoda ta pozwala na dokładne kontrolowanie domieszkowania tworzonych warstw, zarówno typu P, jak i N. Efektem poprawienia tego procesu jest wzrost efektywności świetlnej o 7.5% na poziomie kwantowym, w stosunku do standardowych metod produkcyjnych. Wzrost ten zaobserwowano przy gęstości prądowej 3 A/mm2. Tym samym, wspomniany efekt udało się zminimalizować. Ma to być tożsame z limitami dotyczącymi maksymalnej wydajności świetlnej, osiąganej z diod LED opartych na indu-azotku galu. Naukowcom z firmy Osram jako pierwszym udało się zredukować wpływ tego efektu, co skutkuje wspomnianą wyższą efektywnością świetlną. Przy niższych prądach (np. 0.34 A/mm2) poprawa efektywności nadal jest widoczna, lecz w mniejszym stopniu (dla podanego przykładu, wzrost ten ma wynosić „tylko” 4%). Nowe procesy produkcyjne mają zostać wdrożone najszybciej jak to możliwe, począwszy od diod LED wykorzystujących technologię UX:3. © Osram