Wydajniejsze układy RF LDMOS dla bezprzewodowej łączności przemysłowej

Firma Freescale Semiconductor dodała do swojej oferty dwa nowe komponenty mające wzmacniać sygnały RF: AFIC901N oraz AFT05MS003N. Jest to odpowiednio zintegrowany układ mocy RF LDMOS oraz tranzystory LDMOS. Zaprojektowane zostały z myślą o osiąganiu jak najwyższej wydajności przy jednoczesnym zmniejszeniu zapotrzebowania na energię. Zastosowaniem mają być głównie bezprzewodowe urządzenia przemysłowe, w tym te przenośne zasilane z baterii i akumulatorów. Jak podaje producent, problemem dzisiejszych urządzeń są dość małe możliwości związane ze wzmacnianiem sygnałów, co wymusza stosowanie dodatkowych tranzystorów. Te z kolei mają wprowadzać dodatkowe straty co wpływać ma na wydajność energetyczną całego urządzenia. Opisywane układy mają pomóc w redukcji ilości komponentów potrzebnych do budowy efektywnie działającego toru RF, a tym samym poprawić wydajność. Komponenty pracować mogą z napięciem od 3.6 do 7.5 V i pokrywają pasma częstotliwości od 136 do 941 MHz. Zapewniać mają też duże wzmocnienie (nawet 30 dB), dostarczając moc RF około 1 W (CW), dla komponentu AFIC901N i nawet 3 W w przypadku tranzystora (17 dB). To co je też wyróżnia to wysoka odporność i niezawodność (> 65:1 VSWR), co pozwala na pracę w trudnych warunkach, bez ryzyka o usterkę. Całość zapakowano w niewielkie kompaktowe obudowy QFN 4 na 4 mm i SOT-89 odpowiednio.