reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 30 lipca 2015

Sterownik pó艂mostka H minimalizuj膮cy straty

Nowe sterowniki od TI s膮 komponentami zapewniaj膮cymi wysok膮 wydajno艣膰 redukuj膮c straty przy prze艂膮czaniu, ale te偶 wysok膮 偶ywotno艣膰 i wygod臋 zastosowania (m.in. w kwestii wykorzystania MOSFET-N), jak r贸wnie偶 bezpiecze艅stwo.
Firma Texas Instruments przedstawi艂a nowy sterownik bramek p贸艂mostka H dla system贸w pojazd贸w hybrydowych i aplikacji przemys艂owych. Uk艂ad ma pozwoli膰 na redukcj臋 strat przy prze艂膮czaniu i zmniejszy膰 szumy, co z kolei wp艂yn膮膰 ma na popraw臋 efektywno艣ci pracy aplikacji i wyd艂u偶y膰 jej 偶ywotno艣膰. Ostatnia cecha jest wa偶na zw艂aszcza w systemach pojazd贸w. Uk艂ad oznaczony jako UCC27201A-Q1 jest sterownikiem high-side/low-side. Pracowa膰 mo偶e z systemami zar贸wno 12 V, jak i 48 V DC/DC. Na uwag臋 zas艂uguj膮 kr贸tkie czasy prze艂膮czania. Czas narastania i opadania to 7 ns, za艣 czas op贸藕nienia propagacji to 15 ns. Ma to pozwoli膰 na efektywn膮 prac臋 aplikacji przy wysokiej cz臋stotliwo艣ci prze艂膮czania (do setek kHz), zapewniaj膮c jednocze艣nie mo偶liwie najni偶sze straty. Mo偶na te偶 zmniejszy膰 wielko艣ci element贸w magnetycznych i/lub radiator贸w, jak podaje producent, co te偶 wp艂yn膮膰 mo偶e nie tylko na wag臋 aplikacji, ale te偶 jej koszt. Jak podaje producent, uk艂ad ten jest te偶 jedynym, kt贸ry radzi膰 ma sobie z napi臋ciami ujemnymi po stronie high-side, co zapewnia膰 ma bezpiecze艅stwo aplikacji. Wbudowana dioda bootstrap 120 V to dodatkowe zabezpieczenie i u艂atwienie dla projektant贸w. Mo偶liwe jest bowiem wykorzystanie tranzystor贸w MOSFET z kana艂em typu N bez konieczno艣ci umieszczania dodatkowych diod w aplikacji. Ca艂o艣膰 zaprojektowano z my艣l膮 o zapewnieniu wysokiej efektywno艣ci oraz 偶ywotno艣ci d艂ugoterminowej. Sterownik zamkni臋to w obudowie typu SOIC-8. Dost臋pny ma by膰 w cenie od 1.62 USD przy zam贸wieniach na 1000 sztuk.
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
February 22 2019 14:26 V12.2.6-2